第07章-薄膜晶体管的结构与设计.ppt

液晶显示器件阵列工艺 王丽娟 第7章 薄膜晶体管的结构及设计 长春工业大学 王丽娟 2013年02月10日 7.2 背沟道刻蚀型TFT的工艺流程 7.2.1 5PEP阵列工艺 PEP 1 栅极 Mo/AlNd PEP 2 a-Si:H 岛 SiNx /α-Si/ n+-Si PEP 3 源漏电极及沟道切断 Mo/Al/Mo;α-Si/ n+-Si PEP 4 SiNx保护膜及过孔 PEP 5 ITO像素电极 1PEP 栅线 7.3 背沟道保护型TFT的工艺流程 a-Si:H TFT 阵列 就是在玻璃基板上有规则地整齐排列薄膜晶体管的工程。 1PEP 栅线等效电路 形成薄膜晶体管的栅极、栅线及存储电容的金属层 1PEP 栅线 MoW前清洗 →MoW溅射 →涂胶 →曝光 →显影 →显影后检查 → MoW CDE →刻蚀后检查 →去胶 2PEP i/s SiN阻挡层 形成薄膜晶体管的绝缘层及阻挡层。阻挡层的作用是防止n+a-Si切断时刻到下面的a-Si。由于有阻挡层存在，因此这种TFT的结构是背沟道阻挡型TFT。 2PEP I/S SiN阻挡层等效电路 2PEP i/s SiN阻挡层 SiO前清洗 →SiO AP CVD →4层 CVD前清洗 →4层CVD （SiO，g-SiN，a-Si，i/s SiN） →4层后清洗 →O2灰化 →涂胶 →背曝光 →曝光 →显影 →显影后检查 →i/s SiN湿法刻蚀 →刻蚀后检查 →去胶 2PEP i/s SiN阻挡层——PCVD 2PEP i/s SiN阻挡层——O2灰化 3PEP a-Si岛 形成a-Si岛，即形成薄膜晶体管的可以导电的小岛。 3PEP a-Si岛等效电路 3PEP a-Si岛 → n+a-Si前清洗 →n+a-Si CVD →涂胶 →曝光 →显影 →显影后检查 →3层CDE →刻蚀后检查 →去胶 4PEP ITO象素电极等效电路 形成液晶显示器的画面显示区域 4PEP ITO象素电极 ITO前清洗 →ITO溅射 →ITO后清洗 →涂胶 →曝光 →显影 5PEP 过孔 涂胶 →曝光 →显影 →显影后检查 →SiO湿刻SiO刻蚀药液：HF：NH4F：H2O=6：30：64 →刻蚀后检查 →去胶 5PEP 过孔等效电路 5PEP 过孔 5PEP 过孔 6PEP MoALMo源漏电极 形成薄膜晶体管的源漏电极 6PEP MoALMo源漏电极等效电路 6PEP MoALMo源漏电极 MoALMo前清洗 →MoALMo溅射 →MoALMo后清洗 →涂胶 →曝光 →显影 →显影后检查 →MoALMo湿刻 →刻蚀后检查 →n+切断刻蚀 →刻蚀后检查 →去胶 7PEP P-SiN钝化层 形成TFT的钝化层，保护TFT防止受到灰尘、潮湿的影响。 7PEP P-SiN钝化层 7PEP P-SiN钝化层 7PEP P-SiN钝化层 7PEP P-SiN钝化层要点说明 glass S/D cleaning 6PEP MoALMo源漏电极——清洗 MoALMo前清洗：主要是用刷洗，QDR水洗，LAL刻蚀， QDR水洗，超声清洗，IPA干燥。 LAL刻蚀：因为MoALMo溅射前，n+a-Si暴露于大气，和容易氧化形成氧化硅，所以要用LAL刻蚀去表面的氧化物， O3水处理：在表面再形成一层薄的氧化硅，但不同于n+a-Si前清洗的地方是在溅射中没有除去氧化物的刻蚀室，因为MoALMo是金属，金属离子的活性高，在热退火中很容易渗透，不会影响与n+a-Si的接触性能。 在工艺中，有时也不用O3水处理，不形成薄的氧化物，因为清洗后很快就进行溅射，即使表面形成一层自然的氧化硅，通过退火也不会影响器件的性能。 glass S/D sputter 气体：Ar 顶Mo膜厚：500±50A；方块电阻：4.4±0.9Ω/□ 气体：Ar AL膜厚：3500±350A；方块电阻：80±10Ω/□ 气体：Ar 底Mo膜厚：275±50A；方块电阻：11.00±4.0Ω/□ 6PEP MoALMo源漏电极——MoAlMo溅射 相对反射率215%（仅AL，480nm可见光），相对反射率时棒硅对下层膜的反射率。相对反射率的好坏决定MoALMo刻蚀的好坏，反射率不好，刻蚀性也不好。 6PEP MoALMo源漏电极——刻蚀 glass MoALMo湿刻：用H3PO4：CH3COOH：H·O：HNO3=76.8：15.2：5：3 glass n+a-Si