浙江大学电气工程学院98级本科生毕业设计（论文）选题公布.docVIP

浙江大学电气工程学院2008级本科生毕业设计（论文）选题、成绩汇总表 选题 论文编号 选题学生姓名 毕业设计（论文）题目 进行方式（打√） 进行地点（打√） 指导教师 毕业设计（论文）成绩 学号 结合科研课题 结合生产实际 结合创新性实验 结合SRTP 结合综合实践 结合学科竞赛 校外 校内 姓名 职称 1 杨帆 中文：柔性变拓扑LLC变流器的研究 √ √ 吕征宇 教授 82 3080100455 英文：Flexible Topology Variation of LLC Converter 2 吴中民 中文： 自适应受控辅助电源研究 √ √ 吕征宇 教授 87 3080102366 英文： Adapt Controled DC/DC Converter 3 唐凡森 中文：风机转速跟踪仿真研究 √ √ 吕征宇 教授 84 3080104775 英文：Tracking of Wind Generator Speed Simulation 填表时间： 2012 年 6 月 6 日 填表人签名： 吕征宇 教学主任签名： 陈国柱 浙江大学电气工程学院2008级本科生毕业设计（论文）选题、成绩汇总表 选题 论文编号 选题学生姓名 毕业设计（论文）题目 进行方式（打√） 进行地点（打√） 指导教师 毕业设计（论文）成绩 学号 结合科研课题 结合生产实际 结合创新性实验 结合SRTP 结合综合实践 结合学科竞赛 校外 校内 姓名 职称 4 仲雪倩 中文： 新型4H-SiC平面型JEET结构的物理建模与验证 √ √ 盛况 教授 93 3080030035 英文：Physical Modeling and Verification of a Novel 4H-SiC Lateral JFET Structure 5 陈琛 中文： GaN HEMT 在高温高电场工作状态下的可靠性研究 √ √ 盛况 教授 90 3080100416 英文： Reliability Research for GaN HEMT in High Temperature and High Electronic Field 6 王柳敏 中文：高压碳化硅功率器件终端结构的设计 √ √ 盛况 教授 88 3080102655 英文：The Design of the High-Voltage SiC Power Devices’ Terminal structure 7 陈文宪 中文： IGBT多芯片串联技术的研究 √ √ 盛况 教授 82 3080102763 英文：Research on Power IGBT module of Multi-chip series connection 8 何骏伟 中文： 碳化硅JFET器件结温度特性的研究 √ √ 盛况 教授 91 3080103124 英文：Research on Junction Temperature of SiC JFET 9 廉玉龙 中文：IGBT模块失效机理的建模 √ √ 盛况 教授 79 3080104565 英文：Failure Mechanism Modeling of IGBT Power Module 填表时间： 2012 年 6 月 6 日 填表人签名： 盛况 教学主任签名： 陈国柱 浙江大学电气工程学院2008级本科生毕业设计（论文）选题、成绩汇总表 选题 论文编号 选题学生姓名 毕业设计（论文）题目 进行方式（打√） 进行地点（打√） 指导教师 毕业设计（论文）成绩 学号 结合科研课题 结合生产实际 结合创新性实验 结合SRTP 结合综合实践 结合学科竞赛 校外 校内 姓名 职称 10 王汉星 中文： 1200V 4H-SiC功率MOSFET的器件仿真及特性分析 √ √ 汪涛 讲师 88 3080100968 英文：Simulation of A 1200V Power MOSFET in 4H-SiC 11 董晓蒙 中文： 肖特基二极管的终端结构设计 √ √ 汪涛 讲师 71 3080104436 英文： The terminal structure of Schottky diode 填表时间： 2012 年 6 月 6 日 填表人签名： 汪涛 教学主任签名： 陈国柱 浙江大学电气工程学院2008级本科生毕业设计（论文）选题、成绩汇总表 选题 论文编号 选题学生姓名 毕业设计（论文）题目 进行方式（打√） 进行地点（打√） 指导教师 毕业设计（论文）成绩 学号 结合科研课题 结合生产实际 结合创新性实