缺陷和掺杂.PDF

光电半导体材料科学与技术 第三章 缺陷和掺杂 3.1 半导体杂质与缺陷能级与性质 3.2 III-V族化合物半导体杂质与缺陷控制 3.3 II-VI族化合物半导体掺杂与自补偿效应 1 光电半导体材料科学与技术 3.1 半导体中的杂质能级 Properties of Defects in Si and GeProperties of Defects in Si and Ge III 族元素：受主能级 acceptor（B） V族元素：施主能级 donor（P) - III族元素+ e ↔ III族元素替换Si或Ge 晶格位置 V族元素↔ e- + V族元素替换Si或Ge 晶格位置 2 光电半导体材料科学与技术 施主杂质和施主能级、N型半导体 施 主 电 离 能带中央的能量 能 施主杂质：杂质在带隙中提供带有电子的能级。 V族元素在硅和锗中起施主杂质的作用。 含施主杂质的半导体主要依靠电子导电，称为N型半导体。 光电半导体材料科学与技术 受主杂质和受主能级、P型半导体 受 主 电 离 能 受主：杂质在带隙中提供空的能级。 III族元素在硅和锗中起受主杂质的作用。 含施主杂质的半导体主要依靠空穴导电，称为P型半导体。 光电半导体材料科学与技术 深能级缺陷 Si或Ge中的III族和V族杂质、III-V族化合物中II族或VI 族杂质，其电离能都在0.01eV左右，该杂质能级称为 浅能级。 在半导体中还存在另一类杂质，它们引入的能级在禁 带中心附近，这样的杂质缺陷能级称为深能级