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上海交通大学硕士学位论文摘要
上海交通大学硕士学位论文
摘要
I
I
金属- 半导体- 金属光电探测器高频特性
及其光电集成电路的研究 摘 要
高速光通信及设备的发展 对器件集成电路及系统的设计提出了更 高的要求 从 90 年代初的光电子单片集成到 90 年代末的光电多芯片模 块 人们在这一领域进行了很多研究 本论文针对光通信发展的需要
对可用于光电集成的金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD)在高速下
的高频性能进行了深入研究 并设计了高速光电前置放大器 为光电多 芯片组件OE-MCM的实现提供了理论参考和依据
全文具体安排如下
第一章介绍了光纤通信的发展 对高速光通信中光电器件的发展趋
势作了概述 并阐述了本论文研究的实际意义
第二章介绍了选择光电多芯片组件的必要性 并具体阐述了光电多
芯片组件的结构 制造工艺及特性
在研究光电多芯片组件结构及组成基础上 第三章和第四章分别针
对光电多芯片组件中的两个关键元件 平面结构 MSM 光电探测器和互 阻抗前置放大器进行了分析和设计 第三章首次较完整地给出了金属- 半导体-金属光电探测器高频特性的等效电路模型 对器件的分布参数
II
II
进行了分析 在此模型基础上编写模拟分析程序 分析了 MSM 光电探
测器相关器件参数对器件截止频率的影响 对提高和预测器件高速性能 具有意义 并为光电探测器与前置放大器的优化匹配提供了设计参考
第四章则设计了一个用于高速接收系统中的 GaAs MESFET 前置放大
器 并综合考虑电路性能及其工艺技术 给出了一套可行的技术方法和 参数 并用 PSPICE 软件对其高频特性进行了模拟
关键词 光电多芯片组件 金属-半导体-金属光电探测器 等效电路
高频特性
上海交通大学硕士学位论文ABSTRACT
上海交通大学硕士学位论文
ABSTRACT
PAGE
PAGE IV
RESEARCH ON HIGH-FREQUENCY CHARACTERISTIC OF METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PHOTODETECTOR AND IT’ S OPTOELECTRONIC INTEGRATED CIRCUIT
ABSTRACT
With the development of high-speed optical device and communication, higher demand is brought forward for design of devices’ integrated circuit and system. From optoelectronic integrated circuit on a chip to optoelectronic multi-chip modules, many researches on this field have been processed. The high-frequency characteristic of Metal-Semiconductor-Metal Photodetector, which can be used in optoelectronic integrated circuit in high speed, has been researched in this paper. And a high-speed optoelectronic GaAs MESFET pre-amplifier has been also designed. The result can be used for the realization of optoelectronic multi-chip modules.
The development of fiber communication and the develop trend of optoelectronic devices in high-speed optical communication are reported in
chapter 1; The device structure, fabrication and characteristic of optoelectronic multi-chip modules are given at chapter2; A equivalent circuit model of Metal-Semiconductor-Metal Photodetector’ s high-frequent characteristic will be proposed perfectly at chapter 3. The distributing paramete
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