IGBT的设计及仿真验证.IGBT电控.pdfVIP

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  • 2019-02-25 发布于四川
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与功率MOSFET只有一层之差,即背面p型层代替11型层;电压控制型器件;具有MOS器件高输入阻抗,容易控制与双极型(BJT)器件高电流密度,低导通电阻的双重

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