不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究-中国科学院上海技术.PDF

Vol. 23. No.2 Vo1．23，No．2 第 23 卷第2 期 红外与毫米波学报 第23卷第2期 红外与毫米波学报 April，2004 2004 年4 月 April ,2004 2004年4月 ]. Infrared Millim. Waves J．Infrared Millim．Waves 文章编号: 1001 - 9014 (2004) 02 - 0086 - 05 文章编号：1001—9014(2004)02—0086—05 不同结构的暗铺宗长波光伏探测器的暗电流研究 不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究 叶振华， 胡晓宁， 张海挤， 摩清君， 李言谨， 何 力 叶振华， 胡晓宁， 张海燕， 廖清君， 李言谨， 何 力 (中国科学院上海技术物理研究所材料与器件中心，上海 200083 ) (中国科学院上海技术物理研究所材料与器件中心，上海 200083) 摘要 对 B+ 注入的 n-on-p 平面结和分子束外延(MBE) 技术原位锢掺杂的 n +-n-p 台面异质结的磅锅柔(HgCdTe) 摘要 对B 注入的n—on—P平面结和分子束外延(MBE)技术原位铟掺杂的n 一n—P台面异质结的碲镉汞(HgCdTe) 长波光伏探测器暗电流进行了对比分析.与 n-on-p 平面结器件相比，原位掺杂的 n +-n-p 台面异质结器件得到较高 长波光伏探测器暗电流进行了对比分析．与n—on—P平面结器件相比，原位掺杂的n 一n—P台面异质结器件得到较高 的零偏动态阻抗-面积值(RoA) . 通过与实验数据拟合，从理论上计算了这两种结构的器件在不同温度下的 RoA 和 的零偏动态阻抗一面积值(R A)．通过与实验数据拟合，从理论上计算了这两种结构的器件在不同温度下的R。A和 在不同偏压下的暗电流，得到一些相关的材料和器件性能参数 在不同偏压下的暗电流，得到一些相关的材料和器件性能参数． 关键词:光伏探测器;HgCdTe; 暗电流;RoA; 异质结 关 键 词：光伏探测器；HgCdTe；暗电流；R A；异质结． 中固分类号:TB4 文献标识码:A 中图分类号：TB4 文献标识码：A STUDY OF DARK CURRENT FOR MERCURY CADMIUM STUDY OF DARK CURRENT FOR MERCURY CADMIUM TELLURIDE LONG．WAVELENGTH PHOTODIODE TELLURIDE LONG-W AVELENGTH PHOTODIODE DETECTOR WITH DIFFERENT STRUCTURES DETECTOR 飞iVITH DIFFERENT STRUCTURES YE Zhen-Hua HU Xiao-Ning ZHANG Hai-Yan LIAO Qing-Jun LI Yan-Jing HE li YE Zhen．-Hua HU Xiao--Ning ZHANG Hai·-Yan LIAO Qing·-Jun LI Yan--Jing H