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4.试说明如图所示串联型稳压电路的组成和工作原理，并计算输出电压的调节范围。 Uo U- Uid = U- - UZ Ue2 Uo 工作原理: 稳压电路的组成: 输出电压的调节范围: 第11章 门电路 1. 说明习题图5-1所示的各ＴＴＬ门电路输出是什么状态（高电平、低电平还是高阻态）？已知是７４系列ＴＴＬ电路。 低 低 低 低 高阻 高 高 高 2、写出习题图5-2所示各ＴＴＬ门电路输出信号的逻辑表达式。 3. 分析图5-3所示的ＣＭＯＳ电路，哪些能正常工作，哪些不能？写出能正常工作电路输出信号的逻辑表达式。 不能 不能 4. 电路如下图（a）所示，场效应管T的输出特性如图(b)所示，试分析当u1=4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。 CMOS增强型N沟道 u1=4V u1=8V u1=12V 第12章 半导体存储器 1. 已知ROM的结构示意图如图所示。 ①试说明ROM各部分的功能和工作原理； ②列表说明各存储单元所存的数据； ③说明该ROM的存储容量。 数据表为： D3 D2 D1 D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 A1 A0 0 0 0 1 1 0 1 1 ② ③ROM的存储容量： 4*4=16位 ①试说明ROM各部分的功能和工作原理 。。。 2. 如图所示一个16×4位的ROM，A3A2A1A0为地址输入，D3D2D1D0的数据输出。 若将D3、D2、D1、D0视为A3、A2、A1、A0的逻辑函数， 试写出D3、D2、D1、D0的逻辑函数式。 3. 试用2片258?8接成516 ?8位的RAM。 第13章 模数混合器件 1.图示电路是用555定时器接成的施密特触发器，试求： ①当VCC=12V，而且没有外接控制电压时，VT+、VT-及ΔVT值。 ②当VCC=9V、外接控制电压VCO=5V时，VT+、VT-、ΔVT各为多少？ ① ②  2．图示电路是用555定时器组成的多谐振荡器，若R1=R2=5.1kΩ，C=0.01μF， VCC=12V，试计算电路的振荡频率。 （2-*） 0 t uo uC 0 t VCC /3 2VCC /3 T1 T2 输出方波的周期 T的计算: T = T1 + T2 = 0.7 ( R1 + 2R2 ) C 3. 若A/D转换器（包括取样-保持电路）输入模拟电压信号的最高变化频率为10kHz，试说明取样频率的下限是多少？完成一次A/D转换所用时间的上限是多少？ 4. 试分析如图所示电路的工作原理，画出输出电压uo的波形图。CB7520是10位倒T型电阻网络DAC。下表给出了RAM的16个地址单元中所存的数据。高6位地址A9~A4始终为0，在表中没有列出。RAM的输出数据只用了低4位，作为CB7520的输入。因RAM的高4位数据没有使用，故表中也未列出。 地 址 输 入 数 据 输 出 A3 A2 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 RAM的数据表 十进制74LS160工作在计数状态，将RAM中 A9~A0=0000000000~0000001001地址单元中的数据依次读出。CB7520高4位d9d8d7d6每位为1时，产生的电压模仪量分别为4v,2v,1v,0.5v。 解： 输出电压 * * * * * * 第5章 基本电子器件 习题解答 1、分别改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。 NPN,电源改为+VCC PNP,电源改为-VBB 对交流输入端短路。 对交流输入端都短路。 2.电路如下图所示，晶体管的?＝60， =100Ω。 ①求解Q点； ②画出其微变等效电路，求解 、Ri和Ro； ③设 ＝10mV（有效值）问 ＝？ ＝？ ④C3开路对电路的哪些参数有影响？ 解： １、静态分析 2、 动态分析 画微变等效电路 3、 4、 ui rbe ?ib ib ii ic uo RB RC RL 3.放大电路及三极管输出特性如下图所示。 ①在输出