3.3束流集体效应.doc

第三章 储存环 北京正负电子对撞机重大改造工程初步设计 2- PAGE 92 2- PAGE 93 3.3束流集体效应 在BEPCII改进中，总流强限及其稳定性是非常重要的课题。这一节将集中阐述真空盒的阻抗和由单束集体效应引起的各种束流不稳定性，以及对束束作用的研究。首先对BEPCII储存环的各种真空部件的耦合阻抗作了计算并给出全环的阻抗预算，然后研究了束团拉伸和多束团不稳定性问题。对电子储存环真空盒中残留气体电离引起的离子俘获效应和正电子环中光电子云不稳定性等分别作了研究。对束流寿命也作了初步的估计。本节计算中所用到的束流和加速器参数及其在公式中对应的符号，见表3.3-1。 表3.3-1 BEPCII储存环的主要参数。 参数名称 符号 参数量 束流能量 (GeV) E 1.89 储存环周长 (m) C 237.53 每圈同步辐射能量损失 (keV) U0 121 单环束流强度 (mA) I0 910 每束中束团数目 nb 93 束团流强 (mA) Ib 9.8 每个束团中粒子数 Nb 4.85?1010 束团自然长度 (cm) ?l0 1.3 束团长度 (cm) ?l 1.5 对撞点包络函数 (水平/垂直) (m) ?x*/?y* 1.0/0.015 高频频率 (MHz) frf 499.8 谐波数 h 396 总高频电压 (MV) Vrf 1.5 自然能散度 ?e0 5.6?10-4 发射度 (水平/垂直) (mm?mrad) ?x/?y 0.14/0.002 动量压缩因子 ?p 0.0234 包络函数振荡波数 (水平/垂直) ?x/?y 6.53/7.58 同步振荡波数 ?s 0.034 束团串中束团间距 (m) Lsep 2.4 阻尼时间 (水平/垂直/纵向) (ms) ?x/?y/?z 25/25/12.5 束束相互作用参数 (水平/垂直) ?x/?y 0.04 亮度 (1032cm-2s-1) L0 10 全环平均包络函数 (m) ?x/?y 10.0/10.0 3.3.1 阻抗 由于BEPCII与目前世界上已建成的粒子工厂型对撞机如KEKB[1]，PEPII[2]，和DA?NE[3] 的设计指标相比总流强及单束团粒子数相当（见表3.3-2），因而需对单束团不稳定性暨束团长度拉伸问题和多束团耦合不稳定性作仔细研究并加以抑制，以保证实现BEPCII的高亮度指标。与KEKB和PEPII相比，BEPCII的单束团流强较高，束团数目较少。这意味着BEPCII中单束团效应相对较严重，必须严格控制宽带阻抗。在这一小节中，我们首先从束流稳定性角度对阻抗提出限制，然后对那些可能产生较大阻抗的主要真空部件的阻抗作计算，并给出全环的阻抗预算。 表3.3-2 BEPCII与其它对撞机的束流强度比较 BEPCII PEPII (LER) KEKB (LER) DA?NE 单环流强 (mA) 910 2140 2600 5200 单束团粒子数 (1010) 4.85 5.9 3.3 8.9 单束团流强 (mA) 9.8 1.29 0.52 44 束团间距 (m) 2.4 1.3 0.6 0.8 束团数目 93 1658 5000 120 对纵向宽带阻抗的限制主要来自束团拉伸效应。为实现高亮度，BEPCII将采用micro-?，即?y* = 1.5 cm。这要求束团长度控制在1.5 cm左右。众所周知，储存环中，由于真空盒的耦合阻抗，随束流强度的增加，束团的长度将因为势阱畸变和微波不稳定性而拉伸。 在微波不稳定性阈值以下，势阱畸变导致束团长度拉伸，假定阻抗为纯电感性，则势阱畸变后的束团长度满足下式： (3.3-1) 这里，R是储存环平均半径，是纵向低频耦合阻抗。要保证在单束团设计流强Ib = 9.8 mA，束团拉伸小于10%，则 1.6?，或低频电感L 200 nH. (3.3-2) 根据Boussard或Keil-Schnell判据，微波不稳性的阈值流强是： (3.3-3) 这里，是纵向有效阻抗。 一般要求设计流强在微波不稳定性阈值以下。所以 (3.3-3) 式给出了宽带有效阻抗的阈值，即： 。 (3.3-4) 对真空部件作阻抗计算和利用束流测量的结果都表明，目前BEPC储存环的纵向耦合阻抗约4 ? [5]，比BEPCII的阻抗阈值大很多。因此在BEPCII工程中必须设计低阻抗的真空盒，尽量屏蔽真空盒壁上的不连续结构以满足 (3.3-2) 和 (3.3-4) 式。 在给定的束团流强，横向模耦合不稳定性（TMCI）对横向阻抗提出的限