M／a—Si：H／SnO2结构双势垒的验证.pdfVIP

维普资讯 第 l9卷 第 1期 太 阳 能 学 报 Vo【．19．No 1 l998年 1月 ACTA ENERG IAE SOIARISSIN1CA Jan ．1998 M ／a—Si：H／s 垒的验证 张治国 (内蒙古工业大学电军 。； ，呼和暗特010080) 文 摘 ：给出了M ／a-Si，H／SnO 结掏的平衡态能带图，用光电压法和c 特性法对该结掏的双势 垒进行丁实验验证。蛤出了背结的接触电势差，同时发现这种结构用怍光电器件时小势垒的影响 可 忽略。其中C—V特性及其判别法尚未见报导。 美键词 ：非晶硅 ，双势垒，验证 一 S：H／5n 一 — — 一 ， 0 引 言 M ／a—Si,H／SnO 结构常被人们用来测试非晶硅材料的少子扩散长度 、肖特基结构的势 垒高度和宽度、接触电势差以及材料的扩展态数目等 【。一般认为．这种结构具有双势垒．我们 对其进行了测试和实验验证 。 1 平衡态双势垒模型及光电压判别法 实验样品选用的a—si：H材料，是在 SnO。／Glass衬底的SnO 一面用辉光放 电法生长一 层厚约 2m 的本征 a—si；H层，尔后在 a—si：H表面镀制一层厚约 6 12nm 的Pd金属膜 (直 径为0．72nm)制成的。由上述材料的功函数、载流子浓度等参数可以画出如图1所示的平衡态 能带图。由该图可见，前一个结形成的势垒为 肖特基势垒，后一个势垒为非晶硅和二氧化锡形 成的结势垒，它为一小势垒。为了证实双势垒理论模型，采用光 电探测法进行测试。实验时，脉 电 冲探测光分别从前结 (金属 ／半导体结)和背结(半导体 ／二氧化锡结)入射，并变换入射光的波 长，通过测量该系统的光电压即可确定两个势垒的大小。大势垒耗尽层宽，吸收的光子数多，光 上 ， 生载流子在 电场中被加速的时间长，获得的能量大，容易渡到电极两边，故输出光电压大。反之 亦然，势垒小输出光电压就小。离开势垒区、中性区界面在中性区一侧的一个少子扩散长度之 内，光生载流子若有机会扩散到结区的话．同样需要被结电场加速，否则不能到达电极。显然， 光生载流子的运动主要靠结电场赋予的动能，而扩散运动在相 比之下就显得小多了。由上所述 以及入射光在半导体中的分布和双结的电场方向，可以得出判别势垒大小的条件：假如光从前 结入射．所测到的光电压是SnO：极为负，而且又有一个较大的输出电压值，这说明前结势垒 较大；如果测到的电压是SnO。极为正，则可能背结较大。假如光从背结入射，如果SnO 为正， 金属为负且输出较大的电压，则可能背结较大；此时若 SnO 极为负，则前结较大 若两种操作 本文 】996，10-26收到。 维普资讯 】期 张治 国：M／aSi：H／SnO 结掏双势垒的验证 完成后输出电压的绝对值相等，则两个势垒一般大 图 2所示为测试装置示意图、脉i中探测光 由光源、截光器 和光栅单色仪产生，蓝偏光由光源和蓝色滤光片组成 。 - E一 样品两端的电信号由锁相放大器测出；两光源 由交流 SnO2 电子稳压器和 电子稳流电流源提供 ；蓝偏光的光强恒 _一 定为 0．29mW ·crll 加蓝偏光的 目的是为了能够压 M 缩某个结的势垒高度与厚度，一方面使得被压缩后的 势垒所收集到的电信号不要太大 ，