集成电路版图基础-CMOS版图篇01.ppt

定义版图 什么是版图？ 集成电路制造工艺中，通过光刻和刻蚀将掩膜版上的图形转移到硅片上。这种制造集成电路时使用的掩膜版上的几何图形定义为集成电路的版图。 版图要求与对应电路严格匹配，具有完全相同的器件、端口、连线 一、单个MOS管的版图实现 设计中，常以宽度和长度值的比例式即宽长比（W/L）表示器件尺寸。 例：假设一MOS管，尺寸参数为20/5。则在版图上应如何标注其尺寸。 注意： 不同软件对图层名称定义不同； 严格区分图层作用。 MOS器件版图图层 ——PMOS N阱——NWELL P型注入掩模——PSELECT 有源扩散区——ACTIVE 多晶硅栅——POLY 引线孔——CC 金属一——METAL1 通孔一——VIA 金属二——METAL2 MOS器件版图图层 ——NMOS N型注入掩模——NSELECT 有源扩散区——ACTIVE 多晶硅栅——POLY 引线孔——CC 金属一——METAL1 通孔一——VIA 金属二——METAL2 版图设计中不需要绘制基片衬底材料以及氧化层 4、版图设计规则 版图设计规则一般都包含以下四种规则： (1) 最小宽度 例如，金属、多晶、有源区或阱都必须保持最小宽度。 (2)最小间距 例如，金属、多晶、有源区或阱都必须保持最小间距。 (3)最小包围 例如，N阱、N+离子注入和P+离子注入包围有源区应该有足够的余量;多晶硅、有源区和金