半导体-第六讲-氧化工艺.ppt

其他的氧化 除了以上几种热氧化方法外，还有几种特殊的氧化方法。例如：为了制备高质量的薄栅氧化层，出现了低温薄栅氧化（ ﹤ 900℃）和分压氧化(在氧气中通入一定比例的不活泼气体，降低氧气的分压，以降低氧化速率); 为了制备厚的氧化层，出现了高压氧化方法。 热氧化工艺的设备 热氧化的设备主要有水平式和直立式两种，6英寸以下的硅片都用水平式氧化炉,8英寸以上的硅片都采用直立式氧化炉。氧化炉管和装载硅片的晶舟都用石英材料制成。在氧化过程中，要防止杂质污染和金属污染，为了减少人为的因素，现代IC制造中氧化过程都采用自动化控制。如图3和图4所示分别是典型的水平式氧化炉系统和直立式氧化炉系统。 影响氧化均匀性的重要工艺参数是氧化区域的温度分布。在水平式氧化炉中采用五段加热器进行控温即是为了达到最佳的温度分布曲线，通常温度误差控制在士0.5℃。 与水平式氧化炉系统相比，直立式氧化系统有一个很大的优点，就是气体的向上热流性，使得氧化的均匀性比水平式的要好，同时它体积小、占地面积小，可以节省净化室的空间。 在硅片进出氧化区域的过程中，要注意硅片上温度的变化不能太大，否则硅片会产生扭曲，引起很大的内应力。一个氧化过程的主要步骤如图5所示。 步骤1:硅片送至炉管口，通人N2及少量O2 步骤2:硅片被推至恒温区，升温速率为5一30℃/Min步骤步骤3:通人大量O2 ，氧化反应开始。 步