第七章-晶体中电子在电场和磁场中的运动.ppt

非导体：电子刚好填满能量最低的一系列能带，而能量再 高的各能带都是没有电子填充的空带。 导 体：电子除填满能量最低的一系列能带外，在满带和 空带间还有部分填充的导带。 半导体：其禁带宽度一般较窄。 常规半导体：如 Si：Eg ~1.1eV；  Ge： Eg ~ 0.7 eV；GaAs： Eg ~ 1.5 eV 宽带隙半导体：如?－SiC： Eg ~ 2.3 eV； 4H－SiC： Eg~3 eV 绝缘体：禁带宽度一般都较宽， Eg 几个eV。 如?－Al2O3： Eg~8 eV；NaCl： Eg~6 eV。 半金属：介于金属与半导体之间的中间状态。电子密度：As：~2.1?1020cm-3; Sb： ~ 5.7 ?1019cm-3;  Bi： ~ 2.7 ?1017cm-3; Cu： ~ 8.45 ?1022cm-3 电阻率：Bi：??c 127 ?10-6(??cm)；?c 100 ?10-6(??cm) Sb：??c 29.3?10-6(??cm)；?c 38.4