西电集成电路制造技术-第五章PVD.ppt

集成电路制造技术 Manufacturing Technology of IC School of Microelectronics Xidian University 2013.10 第五章 物理气相淀积 PVD：physical vapor deposition 淀积特点：物理过程； 定义：利用某种物理过程如蒸发或溅射方法实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上，淀积成薄膜。 技术： ① 蒸发(Evaporation)：早期制备金属薄膜 ② 溅射(Sputter)：已取代蒸发 ③分子束外延(Molecular Beam Epitaxy MBE)| 蒸发法：通过被蒸镀物质(如铝)加热，利用被蒸镀物质在高温下(接近物质熔点)的饱和蒸气压，进行薄膜沉积； 溅射法：高真空中将氩离子加速撞击溅镀靶材，将靶材原子溅击出来，被溅击出的材质(铝、钛或其合金)粒子沉积到硅表面形成薄膜。 IC中金属或合金材料通过蒸镀或溅射方法制造。淀积铝称金属化工艺，真空中进行。硅片表面形成一层铝膜。 真空蒸发法 优点：较高淀积速率，较高薄膜质量(系统真空度高) 缺点：台阶覆盖能力差，淀积多元薄膜时组份难控制 溅射法 优点：淀积多元薄膜时组份易控制，淀积薄膜与衬底附着性好 溅射法