为什么在同质结LED中,应该使电子注入电流尽量大,空穴注入电流尽量小,或者说用P区作为出光区,而在异质结LED中,并不需要这样做?
2.2节思考题 1 :
同质结LED为提高注入效率,应采用P区作为出光区,使电子注入电流尽量大,空穴注入电流尽量小;
在异质结LED中,N区和P区分别向有源区注入电子和空穴,且有源区两边异质结的势垒可限制注入该区的两种载流子;电子和空穴复合产生的光子,无论从P区还是N区出射,都不会被吸收,因此并不局限在以P区作为出光区。
同质结LED的注入效率:
思考题 2 :
与普通的面发射LED相比较,为什么边辐射LED与光纤之间的耦合效率更高?
对于普通面发射LED,由于在水平和垂直方向都没有限制,因此其水平和垂直方向的散射角都为120°;
而对于边发射LED,虽然平行于结平面方向没有限制,水平散射角虽仍是 120°;但在垂直于结平面方向对光有限制,其垂直散射角是 30°,因此边辐射LED与光纤之间的耦合效率更高。
P-N+型同质结构成的LED,参数如下。计算其注入效率。
【习题2.1】
【解】 少子浓度为
扩散长度为:
注入效率为:
【习题2.2】 一个LED,正常工作情况下其有源区载流子的辐射复合寿命为2ns,非辐射复合寿命为5ns,求此LED的3dB截止带宽。
【解】
【习题2.3】 P-N+
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