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2019-03-03 发布于江苏
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BSS123-7-F;BSS123-7;中文规格书,Datasheet资料

BSS123 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID • Low Gate Threshold Voltage V(BR)DSS RDS(ON) T = 25°C • Low Input Capacitance A • Fast Switching Speed 100V 6.0Ω @ VGS = 10V 0.17 • Low Input/Output Leakage N • High Drain-Source Voltage Rating O • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant I • Green Device (Notes 1 and 2) T A M Description and Applications Mechanical Data R These N-Channel enhancement mode field effect transistors are • Case: SOT23 O produced using DIODES proprietary, high density, uses advanced • Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification F trench technology.These products have been designed to minimize Rating 94V-0 N on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching I performance.These products are particularly suited for low voltage, • Moisture Sensitivity: Leve