vgf技术生长单晶.pdfVIP

二、GaAs单晶的发展现状  2.1 、产业现状 由于GaAs 电子器件和高速集成电路的快速发展，对GaAs单晶材料的质量也 提出了更高的要求。目前6英寸GaAs渐成主流，而且要求晶片具有低的位 错密度，低的空位缺陷以及As沉淀等微观缺陷，要求晶片具有均匀的杂质 分布。目前在各种低温度梯度生长技术中,只有VGF技术能生长出位错密度 最低的非掺SI GaAs单晶，于是VGF垂直梯度凝固法也随着成为了生产大 直径、高质量GaAs单晶的主流工艺。 美国的AXT 公司，英国的MCP和日本的住友公司相继投入大量的资金研制 和开发Φ(4〞~6〞)的GaAs单晶生长技术，其中AXT公司已实现GaAs单晶 的产业化，能批量提供Φ(2〞~6〞)各种规格的VGF GaAs 单晶片。 2.2 目前常用GaAs单晶生长方法  LEC （液封直拉法）  HB （水平布里支曼法）  VB （垂直布里支曼法）  VGF （垂直梯度凝固法）  VCZ （蒸气压控制直拉法） 四种常见化合物半导体材料生长技术简要对比 生长技术 LEC HB VGF ／VB VCZ 晶体中位错 高 低 低 较低 密度 位错分布均 中 好 好 好 匀性 化学配比控 一般 好 好 好 制 晶体直径 可生长较大直径 受限制 可生长较大直径 可生长较大直径 技 术 晶体长度 可生长较长单晶 可生长较长单晶 可生长较长单晶 受限制 特 背景杂质浓 低 较低 低 低 点 度 工艺可行性 好 好 好 可能 现状 100mm， 50～75mm单晶 100m，150mm 100mm、150mm 150mm单晶 批量生产， 单晶批量生 单晶研制成 批量生产， 直径100mm 产，直径 功 直径200mm 单晶研制成 200mm单晶 单晶研制成 功 研制成功 功 产 投资 大 小 小 很大 业 运行费用 高 低 低 很高 特 3.1VGF单晶生长系统 VGF单晶生长系统有机械及运动系统、电器及控制系统、 热场系统、安全及辅助系统四大部分组成。 VGF热场核心示意图 VGF技术单晶生长热场要满足以下条件 易实现小的温度梯度，低的生长速率； 易于实现计算机控制； 无机械振动，晶体生长稳定； 原位退火； 流体力学条件稳定，对流可忽略； 易获得圆柱形单晶； 热流、质量流接近单轴； 设备结构简单，造价低。 3.2、VGF技术特点 优点  能很好的适合计算机模拟 由于它的物理模型简单，而且硬件之间不存在机械运动，是的它的单晶生长 条件很容易建立。 有着稳定的流体力学条件。  易于实现计算机控制 由于VGF技术是通过