励磁低励限制与发变组失磁配合.pdfVIP

发变组失磁保护与励磁低励限值配合关系 发变组失磁保护与励磁低励限值配合关系 文 / 木易 原理分析 失磁保护定值按异步阻抗圆整定，动作方程采用R-X 平面坐标描述，且为 二次值，而在励磁调节器中的低励限制环节，采用P-Q 平面坐标描述，且为一 次值。由于失磁保护和低励限制采用了不同的坐标系，要验证失磁保护和低励限 制的定值整定配合的是否合理，就要把两者转换在一个坐标平面下分析。 1、失磁保护异步圆映射的P-Q 平面的理论计算： 失磁保护异步阻抗圆、静稳阻抗圆如下图示： 设失磁保护异步圆的圆心为(0，Xo) ，半径为Ro ，圆内为动作区，其动作方 程为： R2 (X X 0 )2 R02 (1) 这是二次阻抗值的方程，式中XO 为圆心，RO 为半径，将R=UcosΦ/I ，X=Usin Φ/I （U 、I 为机端线电压和相间电流的二次值）代入（1）式中化简得： U2 I 2 2U sinX 0 I R02 X 02 (2) 将sinΦ=Q/(UI)代入上式得