半导体物理-双极型器件.pptVIP

半导体器件物理 —— 微细加工技术的进展 —— * 光刻工艺进展 * ( 制造特征尺寸≤130 nm 的CMOS-VLSI ) ① 采用超解像技术: 环带照明法 (OAI), 相移掩模法 (PSM), 光学接近修正 法(OPC); 将光刻胶图形加热到基材玻璃转变温度以上, 通过热流来实现图形的微细化. ② 采用新的曝光波长: 开发193nm ArF准分子激光和相应的光刻胶 (透明, 能干法腐蚀). ③ 193nm用的光刻胶: 主要有丙烯(Acryl)树脂、Norbornene与无水Malein 酸的交替共聚树脂、多环烯(Polycycloolefine)树脂3种. (以前 i 线 [365nm] 用的酚醛树脂 [Novolac] 和 248nm [深紫外线] KrF准 分子激光用的PHS [Polyhydroxy styrene] 树脂不再合用.) ④ 开发新的曝光技术: 开发 (248nm+PSM), (193nm), (193nm+PSM), 157nm, 电子束投影光刻(FPL), X射线光刻(XRL), 离子束投影光刻(I PL) 等技术. ② Cu的优点: a) 电阻率低; b) 抗电迁移能力强。 →→对 0.22μm 的IC, 从1997年开始采用了Cu布线 (对于特征尺寸0.25μm的IC采用的都是Al)。 ③ 镶嵌工艺: ( Cu金属化 + CMP ) 有单镶嵌工艺和双镶嵌工艺。 单镶嵌工艺的工序数较多 (需要进行2次Cu的金属化及 CMP加工), 但具有较小的引线沟槽宽深比。 * 典型的低k材料(1) * —— 纳米集成电路中的连接线 —— 纳米集成电路设计中需要着重优化连接线： 连接线之间的交叉耦合对集成电路信号延迟的影响: 在纳米IC中, 连接线的电容主要由交叉耦合所引起, 将使得连接线的电容 不与长度成正比. —— 纳米集成电路中的设计方法 —— 传统的直线式流程方法不再适用: 布图规划方法没有根据连接线的实际数据来进行预估; 物理综合方法只考虑了门延迟的问题, 也没有考虑连接线的具体情况. 需要采用新的设计方法——持续收敛方法: 从“虚拟硅样品”(SVP)出发来进行设计. SVP全面地表达了设计的各个方面 ( 逻辑, 时序, 信号完整性, 功率衰减, 电迁移,I/O接口, 可制造性等 ). 要求布线设计的工具既懂得电路物理, 也要懂得制造技术. 第三章 双极型晶体管（BJT） 基本工作原理 直流特性 双极型晶体管模型 频率特性 功率特性 开关特性 异质结双极型晶体管 晶闸管 BJT 在超高频、超高速上所遇到的困难： BJT的小信号等效电路: 因为 iC~ = ?iC/?VBE|(VEC不变) vEB~ = gm vEB~ , iB~ = ?iB/?VBE|(VEC不变) vEB~ = gBE vEB~ , 则可给出BJT的低频等效电路; 而根据放大态下的E-M模型,有 IC ≈ αF IF0 exp(qVBE/kT), 则得到跨导为 gm ≡ ?IC / ?VBE = q IC / kT = β0 (q IB / kT ); 同时,输入电导为 gBE = ?IB / ?VBE = ? (IC /β0) / ?VBE = gm / β0 . 注: CE 是发射结电容(包括耗尽层电容和扩散电容); Cjc 是集电结耗尽层电容; rB、 rC、 rE 是串联电阻 (发射极串联电阻很小, 可忽略). 注: ①α和β分别是共基极和共发射极的输出交流短路时的小信号电流增益; ②由小信号高频等效电路(输出交流短路)来求得α和β与f 的关系; ③高频时,电流增益将下降(从而存在有截止频率),而且输出信号的相位将滞后. 注: ① fβ ~为│β│下降到β0 /√2 (下降3dB) 时的频率. τF 是正向渡越时间 (略大 于基