- 1、本文档共111页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
郑州大学信息工程学院 第3章 存储系统 郑州大学信息工程学院 李向丽 第3章 存储系统 3.5 并行存储器 由于CPU和主存储器之间在速度上是不匹配的,这种情况便成为限制高速计算机设计的主要问题。为了提高CPU和主存之间的数据传输率,除了主存采用更高速的技术来缩短读出时间外,还可以采用并行技术的存储器。 1.双端口存储器的逻辑结构 双端口存储器:? 是指同一个存储器具有两组相 互独立的读写控制线路,是一种高速工作的存储器。 ??? 它提供了两个相互独立的端口,即左端口和右端 口。两个端口分别具有各自的地址线、数据线和控制 线,可以对存储器中任何位置上的数据进行独立的存 取操作。 2.无冲突读写控制 当两个端口的地址不相同时,在两个端口上进行读写操作,一定不会发生冲突。 当任一端口被选中驱动时,就可对整个存储器进行存取,每一个端口都有自己的片选控制(CE)和输出驱动控制(OE)。读操作时,端口的OE(低电平有效)打开输出驱动器,由存储矩阵读出的数据就出现在I/O线上。 表3.5 无冲突读写控制 有冲突读写控制 当两个端口同时存取存储器同一存储单元时,便发生读写冲突。为解决此问题,特设置了BUSY标志。在这种情况下,片上的判断逻辑可以决定对哪个端口优先进行读写操作,而对另一个被延迟的端口置BUSY标志(BUSY变为低电平),即暂时关闭此端口。 3.4.2多模块交叉存储器 1.存储器的模块化组织 通常,一个由若干个模块组成的主存储器是线性编址的。这些地址在各模块有两种安排方式:一种是顺序方式,一种是交叉方式。 顺序方式:模块中的地址是连续的。高位地址选择不同的模块,低位地址指向模块内存储字。 某个模块进行存取时,其他模块不工作; 某一模块出现故障时,其他模块可以照常工作; 通过增添模块来扩充存储器容量比较方便。 但由于各模块串行工作,存储器的带宽受到了限制。 一、顺序方式 如,M0-M3共四个模块,则每个模块8个字 顺序方式 M0:0—7 ????????????? M1:8-15 ????????????????? M2:16-23 ????????????????? M3:24-31 5位地址组织如下: X X??? X X X 高位选模块,低位选块内地址 交叉方式特点: 连续地址分布在相邻的不同模块内,同一个模块内的地址都是不连续的。 地址码的低位字段经过译码选择不同的模块,而高位字段指向相应模块内的存储字。 这种方式对连续字的成块传送可实现多模块流水式并行存取,因而可大大提高存储器的带宽。 2.多模块交叉存储器的基本结构 每个模块各自以等同的方式与CPU传送信息。CPU同时访问4个模块,由存储器控制部件控制它们分时使用数据总线进行信息传递。是一种并行存储器结构。 [定量分析]: 设模块字长等于数据总线宽度,模块存取一个字的存储周期为T,总线传送周期为τ,存储器的交叉模块数为m,为了实现流水线方式存取,应当满足?: T=mτ???(m=T/τ称为交叉存取度) ??? 交叉存储器要求其实际模块数m必须大于或等于m,以保证启动某模块后经mτ时间再次启动该模块时,它的上次存取操作已经完成。这样,连续读取m个字所需的时间为: t1=T+(m-1)τ ???? 而顺序方式存储器连续读取m个字所需时间为t2=mT。可见,交叉存储器的带宽大大提高了。 【例5】 设:存储器容量为32字,字长64位,模块数m=4,分别用顺序方式和交叉方式进行组织。存储周期T=200ns,数据总线宽度为64位,总线传送周期τ=50ns。问顺序存储器和交叉存储器的带宽各是多少? 【解】: 顺序和交叉存储器连续读出m=4个字的信息总量都是: q=64位×4=256位 顺序和交叉存储器连续读出4个字所需的时间分别是: t2=mT=4×200ns=800ns=8×10-7s; t1=T+(m-1)τ =200ns+3×50ns=350ns=3.5×10-7s 顺序存储器和交叉存储器的带宽分别是: W2=q/t2=256÷(8×10-7)=32×107[位/s]; ??? W1=q/t1=256÷(3.5×10-7)=73×107[位/s] 3.二模块交叉存储器举例 DRAM存储器读/写周期时,在行选通信号RAS有效下输入行地址,在列选通信号CAS有效下输入列地址。 如果是读周期,此位组内容被读出; 如果是写周期,将总线上数据写入此位组。 刷新周期是在RA
文档评论(0)