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1、二极管的伏安特性曲线　I = f (V) (1) 正向特性 OA段： 二极管电流较小，二极管未导通。 AB段：当 uD≥ Uth时，二极管导通 。正向电阻很小. Uth ：硅0.5V 锗0.1V 导通电压：硅0.6～0.8V 锗0.1 ～0.3V （2） 反向特性 OC段： 反向饱和电流小，反向电阻很大。 复习 (3)击穿特性 CD段：外加反向电压超过击穿电压UBR时，反向电流会突然增大。（击穿时，二极管失去单向导电性） 复习 2、二极管的等效模型 理想模型 UD+－UD－0，二极管导通，等效为导线； UD+－UD－≤0，二极管截止，等效为断路。 恒压降模型 UD+－UD－≥UF，二极管导通，等效为UF恒压源； UD+－UD－UF，二极管截止，等效为断路。 折线模型 UD+－UD－≥Uth，二极管导通，等效为Uth恒压源串联电阻； UD+－UD－Uth，二极管截止，等效为断路。 3、二极管的工作状态判定方法 假设二极管断开，然后求得二极管正极和负极之间的电压。如该电压大于导通电压，则说明该二极管导通，两端的实际电压为二极管的导通电压；如果该电压小于导通电压，则说明该二极管截止。然后进一步计算所要求的各物理量。 第2章 半导体器件基础（3） 2.3 特殊二极管 2.5 双极型晶体管 第3章 晶体管放大电路基础（1） 3.1 放大电路的基本概念 教学要求 　　1、了解稳压二极管的工作区域。 2、理解三极管各极电流间的关系和电流 放大作用。掌握三极管用于放大时的加电原则， 并会判断电压极性加得对不对。 　　3、理解三极管的特性曲线，掌握输出特 性曲线三个区域的特点。 4、了解放大电路的主要性能指标 2.3 特殊半导体二极管 2.3.1 稳压管及其应用 稳压管是一种由特殊工艺制成的点接触型硅二极管，与普通二极管相比，其正向特性相似，而反向特性比较陡。 稳压管工作在反向击穿区，并且在一定电流范围内（△IZ），稳压管不会损坏。由于稳压管的击穿是齐纳击穿，故稳压管也称为齐纳二极管。 1. 符号及稳压特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。在正常稳压状态时，IZmax IZIZmin 当IZIZmin时，稳压 管进入反向截止状 态，稳压特性消失； 当IZIZmax时，稳压 管可能被销毁。 稳压管应用电路 在负载变化不大的场合，稳压管常用来做稳压电源，由于负载和稳压管并联，又称为并联稳压电源。稳压管在实际工作时要和电阻相配合使用。 2.3.2 发光二极管 发光二极管通过电流时将发出光来，又叫LED。 应用：1、很多大型显示屏都是由矩阵式的LED构成的。 2、作为将电信号变为光信号的元件。 双极型三极管通常简称为晶体三极管，也称为晶体管或三极管。 2.5.1 双极型三极管的分类及结构 2.5 双极型晶体管 2.5.1 双极型三极管的分类及结构 BJT按照制造材料分为锗管和硅管；按照工作频率分为低频管和高频管；按照允许耗散的功率大小分为小功率管、中功率管和大功率管。 小功率管 中功率管 大功率管 双极型三极管的结构示意图及其符号 1、三个区、两个结、三个电极 下图是NPN管的结构及符号 2、符号中的箭头表示三极管导通时的电流方向 集电区 集电结 基区 发射区 发射结 双极型三极管的结构示意图及其符号 1、三个区、两个结、三个电极 下图是PNP管的结构及符号 2、符号中的箭头表示三极管导通时的电流方向 集电区 集电结 基区 发射区 发射结 初学者可以根据三极管符号中的箭头 1）分清电极：带箭头是发射极，箭头方向就是电流方向。　 　2）分清类型：箭头向外为NPN，向里为PNP 。 NPN管 PNP管 　2.5.2 双极型晶体管的工作原理 1、放大的条件： 内部条件： (1)发射区掺杂浓度高 (2)基区薄且掺杂浓度低 (3)集电区面积大 外部条件： (1)发射结正偏； (2)集电结反偏。 外部条件： (1)发射结正偏； (2)集电结反偏。 NPN型： UC＞UB ＞ UE PNP型： UE ＞ UB ＞ UC (1)发射区向基区注入“多子”电子形成发射极电流IE 2、载流子运动情况与各极电流的形成(NPN) 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 (2)扩散及一小部分电子在基区复合形成基极电流IB (3)绝大部分电子被集电极收集，形成集电极电流IC (1)发射区向基区注入“多子”电子形成发射极电流IE IE = IE n+ IEp≈ IE n (2)扩散及一小部分电子在基区复合