有机硅等离子体聚合物复合膜.PDFVIP

维普资讯 邓 B卷筇 1 V o1．B ． Ne ． 1989年 2 ENVIRoNMENTAL CHEM】STRY f’ebruarv 1989 有机硅等离子体聚合物复合膜 的制备及氧氮选择透过性能 后晓准 孙 求实 毕经京 施艳 荞 (中国科学 院化学研 究所) 。 摘 耍 四种有机硅单件， 即乙烯基三 甲基硅烷 (VTMS) 乙烯基 甲基= 乙基硅烷 (~MDES) 八 甲基环 四硅氧烷 (u ·)和卉 甲基二硅氧烷 ( 计 -在 t3．50MHz钟罩 式等离子体发生器 中， 分剐进行等离子捧象合，象合物讥积在多孔聚丙烯底柱cel d24o1表面．在放电琦率50w ， 体 系压力 12— 3OP8，反应耐何 15—60rain时，形戚 具有氧氨选择透过功能 的有机硅等离子体 聚合钎复台膜 ．其氧气遗过建率J0 是 2．7--5．x1D6‘c皿3(STP)／cm2·，：c皿Hg，氧羹分离 系数 aolN是3．7B--4．OT．等离于博聚台橱层的厚度约口．1--0．2¨m．根据它们的扭描 电镜jf}[ 片，红外光谱和元素分析数据 ，讨论丁具有气捧选择遗过性能 的等离子件聚合骑复台嗅的形 戚过程 |底膜性质对靛合膜性艟的 响 |等离子体寨合物层的化学结抽和组成 ，以及它们同 复杂等离子体辩奢厦应历程之 间的关系 用于气体分离的高分子材料中，聚有机硅氧烷有较高的气体透过系数，其氧气透过 系数 P02为 2—3×10 era。(STP) ·cm／cm ·s·emHg， 因而受到人们的重视 ． 但它 的气体 分离性又低于一般的结晶高聚物 ，氧氮 分离系数 ％，N仅为 2左右 ．为 此 ， 人们用了不少方法来改善它的气体分离性质 ， 以期提高气体分离系数 ． 近年 来．用等离子体 聚台制备超薄复台膜逐渐引起人们附兴趣，用这种方法翩备 的 高 分子 膜 ，有高度交联结构 ，表面均匀、致密 ，无针孔 ，可望在气体分离中得到应用 ． 本工作用不同类型的有机硅单体 ，进行等离子体聚合，聚 占物沉积在多孔聚丙烯底膜的 表面，形成具有氧氮选择透过性的有机硅等离子体聚台物复台膜．研究表 明 这几种复 合膜有较高的氧氮分离系数，其化学蛆成和结构不同于用普通化学方法制备的聚有机硅 氧烷．同时还研究了底膜的形态、孔隙大小等对复台膜的气体适过性能和表面形态的影 响．以及具有氧氨分离功能的复台膜的形成过程． 实 验 分 1． 材料 单体 乙烯基三 甲基硅烷 (VTMS) ， 日本信越化学 出品} 乙烯基 甲璀二 乙基硅烷 (VMDES)，实验室台成 八甲基环四硅氧烷 (D )，北京化工厂出品}六甲基二硅 维普资讯 l期 插晓淮并：有机硅等离f体聚台物复合艇的制备及氧氯选择透过性能 氧烷 (M ) ，北京化五厂 出品． 底基 聚丙烯多孔膜Celgard2400和 34叭 聚融 tPs1多孔膜，玻璃板，称量纸． 2． 实验步骤 用 13．56MHz，PD一2型 钟罩式等离子体沉积装置 (同 s。mc0公司制造)进行等离 子体聚台．将底基置样 品台上 将体系抽真空 当压力为0．5Pa时进行辉光放 电．5rain 后有机硅单体通过单体入 口进入反应器 内，严格控制反应时间 ．体系压力P