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RIE多晶硅太阳电池组件封装损失分析
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海润光伏研发中心
王殿磊
wangdianlei@hareon.net
2015-11-27
提纲
一. RIE技术在太阳电池中的应用
二. RIE多晶硅电池及组件制备
三. RIE组件功率损失分析及优化
四. 总结
RIE技术在太阳电池中的应用
1.1 RIE制绒技术简介
RIE （Reactive Ion Etching ）反应离子刻 Anode
蚀是一种干法刻蚀技术，可以应用于硅太
阳电池制绒工艺，其主要原理是：
1. 射频发生器将反应气体离化 ，反应气体
中的氟离子与硅片发生化学反应形成绒
面；
2. 质量较大的正离子，被平板电场的电压
有效加速，垂直轰击放置于阴极表面的
硅片，实现对硅片表面的物理轰击和化
学刻蚀形成陷光绒面。
参考文献：孙承龙, 戈 肖鸿, 王渭源,姜建东,反应离子深刻蚀技术 的研究,传感器世界 1996.5 材料与工艺
常规酸制绒 Maskless RIE制绒
M
a
s
k
R
I
E
制
绒
参考文献：D. Macdonald, A. Cuevas, M. Kerr, C. Samundsett, D. Ruby, S. Winderbaum and A. Leo，Texturing Industrial Multicrystalline Silicon
Solar Cells，ISES 2001 Solar World Congr
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