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电磁炉的故障分析及维修方法 原创:李少怡 (一)电磁炉的故障分析及维修方法2 （二）特殊零件简介2 （三）主回路原理分析4 （四）振荡电路6 （五）IGBT激励电路6 （六）PWM脉宽调控电路7 （七）同步电路7 （八）加热开关控制8 （九）VAC检测电路9 （十）电流检测电路9 （十一）VCE检测电路10 （十二）浪涌电压监测电路11 （十三）过零检测11 （十四）锅底温度监测电路11 （十五） IGBT温度监测电路12 （十六）散热系统13 （十七）主电源13 （十八）辅助电源14 （十九）报警电路14 （二十）故障代码表15 （二十一）主板检测标准16 （二十二）主板测试不合格对策16 (一)电磁炉的故障分析及维修方法 . ( IGBT ), IGBT 原因分析一应围绕原发的故障点如 管击穿 管损坏时多为 G.C.E , +305V C G , 击穿这时 电源将通过 至 窜入驱动放大电路使限幅稳压二极 管保护后击穿受损有时甚至还造成驱动放大电路的三极管, (8050. 8550)及比较 器的损坏 请你查下上述电路的相关元. ! 分析二. 能造成IGBT 管损坏的主要原因有: 人为及虫害因素. 自选锅 具不合格进行使用. 高低压供电电源异常(如排风机受损等). 同步振荡电路异 常.高压检测 电路异常. LC振荡电路受损. 驱动放大电路异常. 使能关机电路 存在故障. 及单片机受损时均导致爆损IGBT 管 （二）特殊零件简介 二、原理分析 2.1 特殊零件简介 2.1.1 LM339集成电路 LM339 内置四个翻转电压为6mV 的电压比较器,当电压比较器输入端电压 正向时(+输入端电压高于-输入端电压), 置于LM339 内部控制输出端的三极管 截止, 此时输出端相当于开路; 当电压比较器输入端电压反向时(-输入端电压高 于+输入端电压), 置于LM339 内部控制输出端的三极管导通, 将比较器外部接 入输出端的电压拉低,此时输出端为0V。 2.1.2 IGBT 绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称 IGBT,是一种集 BJT 的大电流密度和MOSFET 等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速 大功率器件。 目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET 输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。 IGBT 有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极 C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。 从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就 是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。 IGBT 的特点: 1.电流密度大, 是MOSFET 的数十倍。 2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。 3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo 下, 其导通电阻Rce(on) 不大于 MOSFET 的Rds(on) 的10%。 4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。 5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV 的约1.2us、600V 级的约0.2us, 约 为GTR 的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达 100KHz, 开关损耗仅为 GTR 的30%。 IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极 佳的高速高压半导体功率器件。 目前458 系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下: (1) SGW25N120西门子公司出品,耐压 1200V, 电流容量 25 ℃时 46A,100℃时25A,内