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浅谈高压击穿启动还原炉在多晶硅生产过程中应用 【摘要】还原炉启动是多晶硅生产中的重要工艺 环节。本文就改良西门子法多晶硅生产工艺及其生产过程中 采用卤素灯加热器进行预加热硅芯启动还原炉和采用高压 击穿硅芯启动还原炉在节能降耗等方面的优劣进行简要分 析。 【关键词】高压击穿；预热；启动；还原炉 abstract： The start-up of reactor is the key point ofpolysilicon production process.This paper briefly analyzes the advantage and disadvantage on the energy-saving and cost-reducing between using halogen lamp heater and high voltage ignition system to start up reactor with modified Siemens polysilicon production technology. key words : the high voltage breakdown ； Preheating； Start； Reduction furnace 引言 光伏发电主要是利用太阳能，将太阳光能转化为电能的 一种发电方式，其技术最早应用于太空领域，作为人造卫星 的电源。但伴随着社会快速发展接踵而至的能源危机和环境 污染，人们开始寻找能够代替化石燃料储备的能源材料，太 阳能作为取之不尽用之不竭的清洁能源，日益受到人类的亲 睐和重视。而作为光伏发电重要原材料的多晶硅及其生产技 术也日益成为世界关注的焦点。在我国，经过近年来的不断 探索和发展，已经建成了多条专业的多晶硅产业化生产线， 突破了长期以来国外对我国的生产技术封锁及市场垄断，多 晶硅的生产在我国已经逐步形成了极具战略意义的新兴产 业。 1、多晶硅生产工艺概述 由于各多晶硅生产厂家所用的主辅原料并不相同，因此 生产工艺技术不同，进而对应的多晶硅产品技术经济指标、 产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存 在差异，各有自己的技术特点和技术秘密。总的来说，目前 国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷 法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能最 大,约占全世界总产能的80%[1]。 改良西门子法生产多晶硅是利用氯气和氢气合成氯化 氢，合成和回收的氯化氢与工业硅粉合成三氯氢硅，对合成 的三氯氢硅进行分离提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内 与氢气进行化学气相沉积（CVD）反应生成高纯多晶硅并产 生尾气，尾气通过干法回收系统将各组分回收利用（氢气与 三氯氢硅分别回收后再用于CVD反应生成高纯多晶硅，四氯 化硅回收后与氢气在氢化炉内反应生产三氯氢硅，氯化氢回 收后用于合成三氯氢硅），以此形成多晶硅生产物料的闭路 循环。改良西门子法制备的多晶硅纯度高，安全性好，沉积 速率高，一次通过的转换效率为5%?20%。改良西门子法相 对于传统西门子法的优点主要在于：1）节能：由于改良西 门子法采用多对棒、大直径还原炉，可有效降低还原炉消耗 的电能。2）降低物耗：改良西门子法对还原尾气各组分全 部进行了有效的回收和利用，大大低降低了原料的消耗。3） 减少污染：由于改良西门子法是一个闭路循环系统，多晶硅 生产中的各种物料得到充分的利用，排出的废料极少，相对 传统西门子法而言，污染得到了控制，保护了环境。 2、 SiHC13 还原 经分离精馆提纯工序精制的三氯氢硅，与从还原尾气干 法分离工序回收的氢气在汽化器内以一定比例充分混合汽 化后送入还原炉内。在还原炉内通电的炽热硅芯/硅棒的表 面，三氯氢硅与氢气发生氢化还原反应，生成硅沉积下来， 使硅芯/硅棒的直径逐渐变大，直至达到规定的尺寸。氢还 原反应同时还生成二氯二氢硅、四氯化硅、氯化氢和氢气， 与未反应的三氯氢硅和氢气一起送出还原炉，经还原尾气冷 却器冷却后，直接送往还原尾气干法分离工序。 3、 还原炉启动 硅芯是半导体材料，其半导体特性是负阻特性，硅芯的 电阻率随温度升高下降，且这种关系是种指数关系： P = a e0/T 式中a与B对于同一种半导体材料为常量，T为绝对 温度⑵。 因此只要有足够热量使得硅芯温度升高到一定温度以 上（使得硅芯电阻率下降到一定值），在硅芯上加上一定电 压就能击穿硅芯，形成电路，再以电流大小控制硅芯温度至 化学气相沉积要求温度即完成了还原炉启动。 3.1卤素灯加热器预热硅芯启动还原炉 卤素灯加热器预热硅芯启动还原炉原理为：开炉准备工 作完毕后，在惰性气体气氛的还原炉内安装卤素灯加热器对 硅芯进行预热，使得硅芯达到击穿温度，硅芯上加上电压击 穿硅芯形成电路后取