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高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷 讲述人：洪琦棱 ＰＰＴ制作：费佳蕾 RQ 文献搜集：张云柯、张旭良、张英杰、泽仁翁姆、周涵 摘要 实验 结果与讨论 结论 摘 要 常压下的ZnO是一致熔融化合物，其熔点为1975℃，它不仅具有强烈的极性折晶特效，而且在1300℃以上会发生严重的升华；纤锌矿结构的ZnO具有光学各向异性，对光产生双折射而引发散射等。因此，透明ZnO陶瓷的制备遇到了极大困难，也限制了ZnO陶瓷在紫外发光等电子器件领域的应用。 近年来对高压的研究发现，高压可以有效的抑制材料的升华、控制材料中晶粒生产尺寸以及提高材料致密度，而且还可以改变材料的许多物理和化学性质。所以，实验中设计了以高质量纳米ZnO粉体为原料，采用高压抑制ZnO升华以及提高陶瓷密度。另外，由于高压下ZnO陶瓷中的晶粒生长是一个准热力学平衡过程，所以期望通过调节压力和温度的关系，控制ZnO陶瓷中的晶粒生长尺寸来降低因ZnO结构所产生的双折射。 处理工艺 将ZnO粉体在5MPa的条件下，预压呈ф15.5×1.1mm（直径）的合成样品 实验是在中国式的SPD 6 × 1200型六面高压设备上进行的。ZnO粉体的纯度为99.9%，平均粒径约为100nm，呈球状 然后放入Mo套中防止污染。将Mo套放入作为加热容器的石墨坩埚中 再放入叶蜡石合成腔中。烧结的压力和温度分布为1-5