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第三章 MC9S12单片机的内核及片上资源 §3-1 内核结构及引脚 §3-2 内部寄存器 §3-3 堆栈 §3-4 内部存储器 §3-5 复位及时钟 §3-6 中断 §3-7 最小系统设计 内核结构—存储器 以MC9S12DP256为例 256K FLASH 12K RAM 4K EEPROM 电压调整模块及相关引脚 电压调整模块 给内核供电2.5V VDD1.2和VSS1.2:内核供电引脚,之间要接去耦电容 时钟和锁相环及相关引脚 EXTAL、XTAL:接外部振荡器 RESET:接外部复位,低电平有效 XFC:接锁相环滤波电容 VDDPLL、VSSPLL:锁相环供电引脚。使能电压调整模块( VREGEN 上拉)时,该引脚直接去耦电容。 模式选择及相关引脚 模式选择和PORTE复用 TEST:保留脚,接地 XIRQ:非屏蔽中断 IRQ:可屏蔽中断 模式选择 地址数据总线 PORTA和PORTB作为扩展模式下的数据和地址复用总线,寻址达到64K范围 窄模式下:PORTA为8位数据总线 宽模式下:PORTA、PORTB为16位数据总线 PTK为扩展存储器超过64K时用,不扩展时作为普通I/O口。 扩展窄模式地址线接法 扩展宽模式地址线接法 思考 若使用2片32K*8 bits的SRAM,怎样在扩展宽模式下接地址线? 如果外部存储器大小超过64K直接寻址范围,怎么办? ATD模块及相关引脚 VRH、VRL:参考高压和参考低压,一般接5V(隔离)和GND(单点共地)。 定时器及相关引脚 IOC0-7: 输入捕获:捕获外部有效边沿 输出比较:输出一定宽度的脉冲 SPI、PWM及相关引脚 2个SPI口 MISO:主机输入/从机输出 MOSI:主机输出/从机输入 SCK:同步时钟(主机提供,从机接受) SS:从机选择(1-主机,0-从机) 异步串行口及相关引脚 2个SCI: RXD:数据接收 TXD:数据发送 1个SPI 1个BDLC 中断I/O口 作为普通并行I/O口:PORTJ、PORTH 电源引脚 *VDD1、2,VSS1、2:内部逻辑供电 *VDDPLL,VSSPLL:锁相环供电 *-使能电压调整模块( VREGEN 上拉),该引脚直接去耦电容。 §3-2 内部寄存器 累加器A、B:保存操作数和操作结果,组成16位累加器D。 变址寄存器X、Y:寻址操作、临时数据、参与运算。 堆栈指针SP:中断、子程序调用,暂存数据。堆栈由高地址向低地址生成,栈顶为实栈顶。 程序计数器PC :存放下一条要执行的指令地址。 §3-3 堆栈 堆栈由高地址向低地址生成,SP总是指向最后进入堆栈的一个字节 实栈顶 ——压栈时先调整堆栈指针(SP←(SP-1)),后保存数据。 ——出栈时先弹出数据,后修改栈顶(SP←(SP+1)) 子程序调用时,程序返回地址自动压栈、 中断响应后,除断点地址自动压栈外,CPU寄存器Y、X、A、B、CCR也依次自动压栈;执行中断返回指令时,断点地址和CPU寄存器按照和入栈时相反的顺序依次自动出栈。 栈区必须在程序开始部分在内部RAM区指定,即SP的初始化。 中断进栈举例:执行到$80F0处的程序时,CPU响应中断,且此时SP的内容(栈顶)为$3F00,则 §3-4 内部存储器—基本内存空间 内存以页面方式扩展 存储器容量寄存器 1=寄存器空间为2KB 0=寄存器空间为1KB 存储器容量寄存器 RAM_SW2-RAM_SW0:分配系统RAM存储空间 寄存器区映射寄存器-INITRG 指定内部寄存器区基址的高5位。 则最小基址是$0000,最大基址为$7FFF(D7=0决定)。 RAM映射寄存器-INITRM EEPROM映射寄存器-INITEE 0=禁用EEPROM 1=使能EEPROM 存储器优先级 上述三个寄存器INITRG、INITRM、INITEE负责将内部资源重新映射 若地址分配出现重叠,按优先级自动屏蔽级别较低的资源 存储器分配优先级: 外部扩展RAM 扩展了外部存储器,内部存储器依然有效,而且优先级高 外部RAM扩展不可以超过64K,否则寻址不到 以扩展16KRAM为例,可以使用译码器把外部RAM地址定位在4000—7FFF,盖掉固定的3E页 前1K寄存器,800—0FFF为EEPROM,2000—3FFF为内部8K的RAM,4000—7FFF为外部16K的RAM,8000—C000页窗,C000—FFFF为页码3F的FLASH 页窗不会被盖掉,只能在RAM上”挖洞” 外部扩展FLASH 必须通过页窗来访问 §3-5 复位及时钟—复位 上电复位 单片机自动检测VDD端的正跳变,启动自动工作。 外部复位 通过RESET引脚加一低电压,拉低超过一定
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