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微纳米加工及应用
电学测量—常温直流和普通交流测量
Jianhui Liao
Deapartment of Electronics
Peking University
Jianhui.Liao@pku.edu.cn
2013.11.28
本次课的主要内容
• 纳米器件电学测量的内容
电流-电压(I-V)曲线,一阶微分电导(stability diagram),二
阶微分电导(非弹性电子隧穿谱)
• 直流测量的实现和注意事项
弱电流的测量,低电阻测量,低电压的测量
• 交流测量的实现和注意事项
锁相放大器简介,一阶微分电导和二阶微分电导的测量
纳米器件电学测量的内容
电流-电压(I-V)曲线,一阶微分电导
(stability diagram),二阶微分电导(非弹性
电子隧穿谱)
I-V曲线测量
1.50E-010
1.00E-010
) 5.00E-011
A
(
t 库仑阻塞区
n
e
r
r 0.00E+000
u
C
-5.00E-011 电流开启电压Vth
-1.00E-010
-1.50E-010
-10 -5 0 5 10
Voltage (V)
变温I-V曲线测量
变温I-V曲线测量
E = 9 meV
a
低温I-V曲线测量
T = 4.3 K
一阶微分电导:库仑菱形图
H. Park, Ph.D thesis
一阶微分电导:库仑菱形图
H. Park, Ph.D thesis
一阶微分电导:stability diagram
Nature, 453, 633, 2008
二阶微分电导
非弹性电子隧穿谱
二阶微分电导:IETS
Inelastic electron tunneling
Inelastic electron tunneling spectroscopy
How to measure IETS?
Numerical derivative
Useless!!!
Lock-in second harmonic detection technique
Lock-in amplifier: A phase sensitive detector (PSD) is used to single out
the component of the signal at a specific reference frequency and phase,
and noise signals at other frequencies a
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