1号——Ⅲ族氮化物InAlN半导体异质结研究进展.pdfVIP

中国科学 信息科学 年 第 卷 第 期 评 述 中国科学院学部 科学与技术前沿论坛 微纳电子专刊 族氮化物 半导体异质结 研究进展 郝跃 薛军帅 张进成 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071 * 通信作者. E-mail: yhao@xidian.edu.cn 收稿日期: 2012–10–10; 接受日期: 2012–10–30 摘要 由于高频大功率固态微波功率电子器件有明显的应用前景 在过去二十年氮化镓 基 高电子迁移率晶体管 得到广泛研究 取得了一系列进展 并开始走向商业化 为了进一步提 高器件性能 尤其是高工作频率和高电压下器件工作的可靠性 新材料、新工艺以及新器件被不断提 出 其中基于 材料的晶格匹配无应变异质结凭借优越材料性能成为新一代 基 材 料 本文结合在 族化合物半导体材料和器件领域的相关工作 对 基异质结半导体材料生长 进展做简要综述 在分析 基异质结外延生长的基础上 对我们提出的脉冲式 表面反应增强 金属有机物化学气相淀积 外延 异质结技术优势和外延材料结果进行了讨论 关键词 化合物半导体 高电子迁移率晶体管 异质结 晶格匹配无应变 脉冲式金属 有机物化学气相淀积 引言 继硅和砷化镓、磷化铟半导体材料之后, 以GaN 和 SiC 为代表的第三代宽禁带半导体材料和器 件, 在过去二十年成为国内外固态微波功率器件领域的研究热点, 并得到了高速发展, 尤其是GaN 基 HEMT 器件具有大的禁带宽度、高的击穿电场强度、高饱和电子速度等优越性能, 能在高频波段输出 大的功率密度, 非常适合制造高温、高压、高频微波、大功率开关等电子器件, 在卫星、无线通信基站、 雷达探测、汽车电子、电力传输和单片微波集成电路 (MMICs) 等国民经济和国防建设中有着广泛应 用 (如图 1 所示). 表 1 给出了几种常用半导体材料的基本材料参数, 可以看出 GaN 和 SiC 有着显著的品质因数, 尤其GaN 有高的电子饱和速度能提高工作频率, 宽的禁带能承受高的击穿电压, 满足了高频大功率微 波器件工作时对速度和电压的要求, 并且 GaN 可以外延在高热导率的 SiC 衬底上. 此外, GaN 基器 件抗辐照能力强, 噪声系数低, 具有好的温度稳定性, 能在高温等恶劣环境工作. 重要的是 GaN 可以 形成AlGaN/GaN 异质结, 能产生高面密度和高迁移率的二维电子气(2DEG), AlGaN/GaN 异质结基 HEMT 能应用于工作频率从微波到毫米波的器件. 因此, GaN 基电子器件的研究和发展备受关注. 引用格式 郝跃 薛军帅 张进成 族氮化物 半导体异质结研究进展 中国科学 信息科学 郝跃等 族氮化物 半导体异质结研究进展 图 基电子器件的广泛应用 Extensive application of GaN-based electronic devices 表 几种重要半导体材料的材料参数 Material parameters of several key semiconductors Semiconductors Si GaAs InP 4H-SiC GaN Diamond Bandgap (eV) 1.12 1.43 1.34 3.2 3.4 5.6 Relative dielectric constant 11.9 12.5 12.5 10 9.5 5.5 Critical breakdown filed (MV/cm) 0.3 0.4 0.45 3.5 3.3 5 Saturated electron velocity (10 cm/s) 1.0 1.0 1.0 2.0 2.5 2.7 Electron mobilit