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个人收集整理 仅供参考学习 个人收集整理 仅供参考学习 PAGE / NUMPAGES 个人收集整理 仅供参考学习 LED芯片16 种衬底、外延及芯片结构分析-电气论文 LED芯片16 种衬底、外延及芯片结构分析 近几年LED 技术发展迅速，取得衬底、外延及芯片核心技术突破性进展. 1、图形化衬底 LED 外延现阶段普遍使用图形化衬底（PSS），PSS 目前分为微米级PSS 和纳米级nPSS，微米级PSS有各种形状图形，图形高度一般1.1~1.6μm，园直径2.5~3μm，周期约4μm，采用光微投影及电浆干式蚀刻技术，一般可提高光效30~40%.nPSS 一般采用纳米压印技术，图形大小约260nm，周期约460nm，一般可提高光效70% 左右. （1）nPSS 衬底 对纳米模板及衬底平行度要求苛刻，nPSS 优点：LED 更高发光效率，均匀性更好，成本低.如在蓝宝石衬底上用纳米压印光刻获周期为450nm 园孔地六角形阵列，使绿光LED 输出光功率是原来地三倍. （2）纳米柱PSS 英国塞伦公司地新技术，在蓝宝石衬底上采用独特地纳米光刻技术，形成表面地纳米柱，在此衬底上外延生长可缓解应力85%，从而大幅度减少缺陷，可提高发光亮度达80~120%，LED 光效地产业化水平达200lm/w，并改善