计算机系统硬盘基板及其CMP技术分析报告研究.docVIP

实用文案 标准 计算机硬盘基板及其CMP技术分析研究 刘长宇，刘玉岭，王娟，牛新环 （河北工业大学微电子研究所，天津300130 ） 1 引言 近年来，计算机技术迅猛发展，个人计算机朝着高性能、小型化方向不断前进。为适应这一趋势，作为计算机数据存储的主要部件硬盘相应朝着大容量、高转速、体积小和安全性高的方向发展，从而对硬盘基片提出更高的要求 [1-2]。因为盘片直接关系着硬盘容量的大小，所以提高单片容量即提高盘片的存储密度便成为解决此问题的关键。随着硬盘基片技术的发展，基板制造材料和基板表面平整度成为影响着硬盘存储容量的大小的决定因素。 目前，制造硬盘基板的材料主要有：NiP/Al合金、玻璃和微晶玻璃[3]，硬盘大都采用铝合金基板。微晶玻璃作为计算机硬盘的一种新型材料，凭借自身硬度、强度、膨胀系数、表面粗糙度、波纹度等优势将成为硬盘基板发展的趋势。 一个平整光滑没有任何表面缺陷的盘基片是磁层储存数据的基础，提高盘基片表面平整度也就提高了存储密度。CMP技术能从加工性能和速度上同时满足盘基片的加工要求，并且在研磨表面上形成光洁平坦表面[4]，它是目前能够实现全局平面化的最佳方法。 2 硬盘基板发展状况 硬盘基片多数采用薄膜复合结构，如图1所示。基板在基片的最底层，其上依次是磁性层、含碳材料的保护层以及润滑层，基板的材质及表面状态直接影响其他层的工艺效果。 2.1 铝镁