电镀铜过去现在与未来.pdfVIP

电镀铜的过去 现在与未来 1 一、电镀铜的历史沿革 1.1焦磷酸铜 1985年以前全球电路板业之电镀铜,几乎全部采用 60℃高温操作的焦磷酸铜（Copper pyrophosphate;Cu P O ) 2 2 7 制程，系利用焦磷酸铜之错合剂（Complexing Agent)做为 基本配方。彼时最流行的商业制程就是MT的添加剂PY- 61H。但由于高温槽液及pH值又在8.0 以上，对于长时间二 次铜所用到的碱性水溶油墨或干膜等阻剂，都不免会造成伤 害。不但对板面之线路镀铜（Patter Plating）品质不利，且 槽液本身也容易水解而成为反效果的正磷酸（H PO ），再 3 4 加上阻剂难以避免被溶解所累积的有机污染等因素，导致焦 磷酸铜的管理困难，而被业者们示为畏途。然而新亮相非错 合剂式的低温（15-20℃）硫酸铜制程，当年则因其成熟度 不够也使得用户们吃足了苦头。直到1988年以后硫酸铜才 逐渐正式取代了先前得焦磷酸铜，而成为唯一的基本配方 2 1.2硫酸铜与反脉冲 十年后（1995）的电路板开始采孔径0.35mm或 14mil以下的小孔，在板厚不变或板厚增加下，常使得 待镀之通孔镀铜出现4：1至10：1高纵横比的困难境界。 为了增加深孔渡铜的分布力（Throwing Power ）起 见，首先即调高基本配方的酸铜比（拉高之10：1以 上），并也另在添加剂配方上着手变化。而且还在固 有垂直挂镀的设备中，更换其传统直流（DC）供电， 转型为变化电流（广义的AC ）式反脉冲电流（Reverse Pulse）的革新方式。在其反咬电流密度很大但时间却 很短的情况下，冀能将两端孔口附近较厚的镀铜层予 以减薄，但又不致影响深孔中心铜层应有的厚度，于 是各种脉冲供电方式也进入了镀铜的领域。 3 1.3水平镀铜 随后为了方便薄板的操作与深孔穿透以及自动化 能力起见，板面一次铜（全板镀铜）的操作，又曾改 变为水平自走方式的电镀铜。在其阴阳极距离大幅拉 近而降低电阻下，可用之电流密度遂得以提高2-4倍， 而使得量产能力为之大增。此种新式密闭水平镀铜之 阳极起先还沿用可溶的铜球，但为了减少量产中频繁 拆机，一再补充铜球的麻烦起见，后来又改采用非溶 解性的钛网阳极。而且另在反脉冲电源的协助下，不 但对高纵横比小径深孔的量产如虎添翼，更对2001年 兴起的HDI雷射微盲孔（Micro via）也极有助益。不过 也由于非溶阳极已不再出现溶铜之主反应，而将所有 能量集中于“产生氧气”之不良副反应，久之难免会对 添加剂与Ir/Ti式DSA （商标名称为“尺寸安全式阳极） 4 昂贵的非溶阳极造成伤害，甚至还影响到镀铜层的物理 性质。至于2002年新冒出二阶深微盲孔所需的填孔镀 铜， 已使得水平电镀出现了力犹未逮的窘境。对于此中困 境， 势必又将是另一番新的挑战。 5 1.4垂直直走的挂镀铜 1999年初日本上村公司曾推出一种U-CON制程，即属精密 扰流喷流之槽液与恢复两侧铜阳极的垂直直走挂镀；但由 于成本及