雪崩光敏二极管,单光子探测.pptVIP

Avalanche Photodiodes  Single-Photon Detection Table of Contents 单光子探测背景知识 Photon Detection introduce 光具有波动性和粒子性，根据光的粒子性，光是由大量的光子组成的，光子的能量由光的频率决定。 上面的想像图演示的是单光子穿过干涉仪时的情景，干涉仪的输出端装有量子分光镜。图中远处可以看到正弦振荡的波形，表示的是单光子干涉，是一种波动现象， 而在图片近处，观察不到振荡，说明只表现出粒子的特性。在两种极端之间，单光子的行为连续不断地从波的形式向粒子形式转变，图中显示了这两种状态的重叠。 Photon Detection introduce 可见光波段的单个光子的能量特别低，如波长为630nm的单色光，单个光子的能量为3.16*10-19J，由于单个光子能量很低，为了能够探测到低能量的光子信号，需要特殊的光电检测器件--单光子探测器。其中，光子检测的核心器件主要有两种：光电倍增管和雪崩光电二极管。 Photon Detection introduce 光电倍增管简介 Photomultiplier Tube Photomultiplier Tube 优点：灵敏度高，稳定性好，响应速度快，噪声小 缺点：结构复杂，工作电压高，体积庞大 Photomultiplier Tube Photomultiplier Tube 雪崩光敏二极管简介 Avalanche Photodiodes Avalanche Photodiodes Avalanche Photodiodes Avalanche Photodiodes Avalanche Photodiodes Avalanche Photodiodes Avalanche Photodiodes Avalanche Photodiodes 单光子探测技术 SPAD SPAD 雪崩效应 SPAD Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits Quenching Circuits POWER COMPARE THANK YOU! 可以看出, APD单光子探测器的几个主要特性, 如脉冲信号高度、信号脉宽RsCg 以及死时间( 恢复时间) CgR1,都与分布电容Cg 有关. Cg 越大, 雪崩信号高度也越大, 信号脉宽加宽, 死时间加长, 每秒钟能捕捉到的光子数就要减少。在实际应用中, Cg 的选择是一个折中的问题. 某些场合对探测器速度的要求不高而且没有好的前置放大器的话, 可以有意识地加大电容Cg. 有实验如果并上一200pF的电容, 看到的雪崩脉冲宽度为100ns, 脉冲高度在1V左右, 但此时恢复时间变长, 大约为10Ls量级, 每秒最多能记录105个光子. 在另外一些需要精确记录光子到达时间的场合, 我们可以精心地设计电路板, 最大限度地减少分布电容Cg. 小结 有源淬灭电路 将无源抑制扩展为有源抑制, 获得了更短的死时间、更小的暗计数和更高的计数率. 有源抑制方式中APD产生电脉冲信号的过程与无源抑制相同, 所不同的是在有源抑制电路中通过外围电路迅速抑制雪崩并将APD恢复到等待状态以使它能探测下一个光子, 从而大大降低了死时间 主动淬火电路是指在雪崩发生时, 不是通过其 自身增长的电流产生压降来淬灭, 而是通过一个能够感应雪崩的模块产生一个电平反馈, 主动切断电路工作状态, 并在很短的时间之后重新启动电路 对单光子探测系统，噪声的主要表现方式主要体现在暗计数上，因为无论噪声电路的强弱，引起的宏观表现都是一次雪崩脉冲技术。暗计数是指在完全没有光照的情况下，产生的输出脉冲计数。产生暗计数的条件一般为暗载流子生成并成功触发雪崩。对SPAD探测系统来说，引起暗载流子的原因主要有三类：热噪声、遂穿电流和后脉冲效应。 a. 热噪声和隧穿电流主要取决于环境温度以及偏压和掺杂浓度 b. 后脉冲效应主要取决于材料 Si SPAD工艺下，纯度可以