3.4扩散与离子注入.pptVIP

扩散:利用原子在高温下（900-1200℃） 的扩散运动，杂质原子从浓度很高 的杂质源向低浓度区扩散并形成一 定的分布。 离子注入 ：电离的杂质离子经几十至几百千伏的电压下进行加速，在获得较高速度后注入半导体内。 目的：由于离子注入所造成的损伤，使得半导 体的迁移率和寿命等参数受到严重；此 外，大部分注入离子并不处于置换位 置，未被激活。通过退火可以解决或改 善以上问题。 （1）注入的离子是通过质量分析器选取出来的，被选取的离子纯度高，能量单一，从而保证了掺杂纯度不受杂质源纯度的影响。 （2）注入剂量在1011-1017离子／cm2的较宽范围内，同一平面内的杂质均匀度可保证在±1％的精度。 （3）离子注入时，衬底一般是保持在室温或低于400℃。避免高温扩散所引起的热缺陷，同时横向效应比热扩散小得多。另外像二氧化硅、氮化硅、铝和光刻胶等都可以用来作为选择掺杂的掩蔽膜。对器件制造中的自对准掩蔽技术给予更大的灵活性，这是热扩散方法根本做不到的。 （4）注入杂质按掩模版图形近于垂直入射，有利于器件按征 尺寸的缩小。 （5）离子注入深度是随离子能量的增加而增加。 （5）离子注入是一个非平衡过程，不受杂质在衬底材料中溶 解度的限制，原则上对各种元素均可掺杂，这就使掺杂 工艺灵活多样，适应性强。根据需要可从几十种元素中 挑选合适的N型或P型杂质进行掺杂。 （7）容易实现化合物半导体的掺杂。 3.4 扩散与离子注入 掺杂工艺 材料 A 材料 B 材料 A 材料 B 材料 A 材料 B 3.4.1 扩散（70年代初期） 1. 扩散机理 恒定的表面浓度：杂质为气相源 杂质蒸汽（800℃～925℃）→硅表面→扩散到硅片内 恒定的总掺杂剂量： 首先在硅表面形成薄杂质层→扩散到硅片内 （1）掺杂浓度不能超过半导体的固浓度。 （2）较难得到轻微的杂质分布 （3）横向扩散大约达到结深度80％的距离。使得最后的扩 散区尺寸超过窗口尺寸。 （4） 900-1200℃高温下进行 横向扩散 扩散应用于 n-sub p-sub 掺杂 扩散特点： PSUB n+Substrate 扩散 2. 扩散设备与扩散源 扩散设备：扩散炉 扩散源： 气态、液态——运输方便，纯度高 固态 立式扩散炉 液态源 液态源：磷扩散掺杂 4POCl3+ 3O2→2P2O5+6Cl P2O5+ Si→4P+5SiO2 (还原反应) N2→POCl3液瓶→ POCl3气泡 O2 石英管内反应 固态源 气态源 易挥发的固态源 Sb2O3 SbCl3 SbH3 Sb BBr3 BN B2H6、BF3、 BCl3 B POCl3 PH3、 PF3 P AlAsO4 砷玻璃 AsH3、 AsF3 As 固态源（易挥发的氧化物或其他化合物） 液态源 气态源 加工材料 扩散浓度一方面决定于源的情况，当源足量时则决定于温度，因为杂质的固溶度决定杂质在半导体表面的浓度。 3. 准确控制浓度和深度 扩散深度取决于扩散系数D和扩散时间t D=Doe-E/kT 对于一定杂质在特定固体中激活能E和Do是一定的，所以D与T是指数上升关系。 为了精确控制深度,精确控制温度(＜±0.5℃)十分重要。 4. 扩散的测量技术 扩散结果 扩散层的结深：化学染色后磨斜角（HF） 条纹干涉 方块电阻：探针技术 杂质分布：C-V法 3.4.2 离子注入（70年代后） 低温 没有横向扩散 掺杂剂量可以控制 注入的深度可以控制 （1）高温 （2）不能超过杂质的固浓度 （3）较难得到轻微的杂质分布 （4）横向扩散 扩散 离子注入：电离的杂质离子经静电场（5 - 200 keV) 加速注入半导体内。 使扩散 1. 离子注入过程 Ion E atoms 如果入射离子的速度方向与固体表面的夹角大于某一临界角，它将能够进入固体表面层，与固体中的原子发生一系列的弹性和非弹性碰撞，并不断地损失其能量。当入射离子的能量损失到某一定的值（ 约为20eV左右 ) 时，将停止在固体中不再运动。上述过程被称为离子注入过程。 a 离子碰撞 反弹 注入 溅射原子 二次电子发射 离子注入到晶圆内 离子 原子 溅射 二次 电子 反弹 轻离子反弹 经加速的离子碰撞晶圆靶面 足够的重离子进入靶内， 与原子和电子发生碰撞 原子从晶格中脱离产生溅射现象 晶格热振动使靶温度↑ 电