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第4章 磁敏传感器 本章主要学习霍耳传感器的 工作原理、霍耳集成电路的特性 及其在检测技术中的应用，还涉 及磁场测量技术。 2013-4-15 1 4.1 磁敏传感器的种类 1856年，发现磁阻效应；1879年，发现霍耳效应。 以上效应，为磁敏传感器的产生奠定了基础。 磁敏传感器定义 磁敏传感器是基于磁电转换原理将磁学物理量转 换成电信号的传感器。 磁敏传感器分类 体型：霍耳传感器，磁敏电阻。 结型：磁敏二极管，磁敏晶体管。 2013-4-15 2 4.2 磁电效应 （一）霍耳效应 半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中，磁 场方向垂直于薄片，当有电流I 流过薄片时，在垂直 于电流和磁场的方向上将产生电动势EH ，这种现象 称为霍耳效应，EH 称为霍耳电势。 d a b c 磁感应强度B为零时的情况 2013-4-15 3 作用在半导体薄片上的磁场强度B 越强，霍耳电 势也就越高。霍耳电势EH 可用下式表示： E =R JB H H 磁感应强度B较大时的情况 2013-4-15 4 霍耳效应演示 d a b c 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的 作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端 面之间建立起霍耳电势。 2013-4-15 5 *磁场不垂直于半导体薄片时 若磁感应强度B不垂直于半导体薄片，而是与其 法线成某一角度 时，实际上作用于半导体薄片上的 有效磁感应强度是其法线方向的分量，即Bcos，这时 的霍耳电势为： E R JBcos U KI Bcos H H H H 结论：霍耳电势与输入电流密度J、磁感应强度B 成正比，且当B 的方向改变时，霍耳电势的方向也随之 改变。如果所施加的磁场为交变磁场，则霍耳电势为 同频率的交变电势。 2013-4-15 6 （二）磁阻效应和形状效应 半导体外加磁场时，电阻值增加的物理现象可 分为两种情况： 1. 磁阻效应 半导体外加磁场时，自身电阻率增加的现象， 磁阻效应直接反映固体的物性。 2. 形状效应 半导体外加磁场时，在金属电极附近电流路径