集成电路工艺.pptVIP

硅片清洗的目的： 清除硅片表面的污染，如微粒、有机物及金属离子等杂质。此外，清洗过程中造成的硅片表面化学态、氧化膜厚度、表面粗糙度等也是同样重要的参数。 污染 可能来源 对器件的影响 微粒 设备、环境、水、 低氧化层击穿电压；多晶硅、金属线桥接； 化学品、容器 针孔；可靠性 金属 设备、环境、水、化学品、 低氧化层击穿电压；漏电； 容器、离子注入、刻蚀 起始电压漂移；可靠性 有机物 光刻胶残留、化学品、 改变氧化速率；降低氧化品质 容器、油漆涂料挥发 微粗糙 化学品、硅片原材料、 低氧化层击穿电压；低载流子迁移率 清洗程序 本征 化学品、环境、水、 降低栅氧化层品质；高接触窗电阻；降低硅晶 氧化物 气体