弛豫铁电陶瓷的制备工艺及其性能.PDF

第２８卷 第１期 桂 林 工 学 院 学 报 Ｖｏｌ２８Ｎｏ１ ２００８年２月 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＧｕｉｌｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｆｅｂ．２００８  文章编号：１００６－５４４Ｘ（２００８）０１－００７４－０４ （１ｘ）Ｐｂ（Ｔａ Ｓｃ ）Ｏ －ｘＰｂ（Ｚｒ Ｔｉ ）Ｏ ０５ ０５ ３ ０５２ ０４８ ３ （０１ ｘ ０５）弛豫铁电陶瓷的制备工艺及其性能 ≤ ≤ １ａ １ｂ ２，３ １ｂ ３ 张雪峰 ，蓝德均 ，欧　俊 ，邹　敏 ，朱建国 （１攀枝花学院ａ材料学院；ｂ生物与化学工程学院，四川 攀枝花　６１７０００； ２桂林工学院材料与化学工程系，广西 桂林 ５４１００４；３四川大学 材料科学与工程学院，成都　６１００６４） 摘　要：利用短时研磨 （粗磨，２ｈ）和长时研磨 （细磨，４８ｈ）两种不同的研磨工艺并结合 Ｂ位复 合陶瓷制备的一步法工艺流程，制备并研究了铅基钙钛矿弛豫铁电陶瓷 （１ｘ）Ｐｂ（Ｔａ Ｓｃ ）Ｏ － ０５ ０５ ３ ｘＰｂ（Ｚｒ Ｔｉ ）Ｏ （０１ ｘ ０５）（ＰＳＴＺＴ）。由细磨工艺制备的陶瓷在 １２００℃下烧结２ｈ获得了 ０５２ ０４８ ３ ≤ ≤ 纯钙钛矿相；细磨工艺ＰＳＴＺＴ陶瓷表面平整、晶粒细小、致密性高，其介电与压电性能、热释电性能 等全面优于粗磨工艺陶瓷。 关键词：细磨工艺；ＰＳＴＺＴ陶瓷；纯钙钛矿陶瓷 中图分类号：ＴＱ１７４７５　　　　　　　　　　　　　文献标志码：Ａ 钽钪酸铅———Ｐｂ（Ｔａ Ｓｃ ）Ｏ（ＰＳＴ）是一种 （（１ｘ）ＰＳＴ－ｘＰＺＴ，简称为ＰＳＴＺＴ）铁电驰豫陶瓷一 ０５ ０５ ３ 具有很高热释电系数的Ｂ位复合钙钛矿型驰豫铁 步法工艺中普通研磨与高强度细磨对 ＰＳＴＺＴ陶瓷 电体［１－３］，是制造高性能非制冷红外焦平面阵列 结构与性能的影响。 潜在的重要材料。ＰＳＴ的居里点较低（根据Ｂ位原 １　试　验 子有序度的不同在 －５～２５℃），且需要在相当高 的温度下制备（约１５００℃）才能合成致密、具有钙 将试剂级ＳｃＯ（９９９９％）、ＴａＯ（９９９９％）和 ２ ３ ２ ５ ［４］ 钛矿结构性能的材料 ，从而限制了ＰＳＴ陶瓷材料 分析纯ＰｂＯ、ＺｒＯ、ＴｉＯ原料按（１ｘ）ＰＳＴ－ｘＰＺＴ的 ２ ２ 的应用领域。目前对 ＰＳＴ基材料主要是通过固溶 化学计量比并过量 １０％（摩尔数）的ＰｂＯ称量后， 体多元化，以改变其铁电相变居里温度和改善其制 以无水酒精为介质分别研磨混合２ｈ（粗磨）和４８ｈ ［５］ 备条件。然而已有的相关研究表明 ，原料粒度的 （细磨），挥发掉大部分酒精后压制成直径２５ｍｍ、 细化可以较大幅度地降低材料制备温度，改善材料 厚约５ｍｍ的坯块，分别在８５０和８００℃预烧４ｈ。 微观组织，从而改善材料性能。陶瓷原料的粒度不 将预烧块磨碎，加入适量的聚乙稀醇（ＰＶＡ）水溶液 仅对陶瓷制备过程有着很大的影响，而且对烧成 造粒，干压成型后制成直径１０ｍｍ、厚约１ｍｍ的圆 后陶瓷材料的微观组织结构和性能也有着重大的 片。对于粗磨工艺，按式 Ｐｂ（Ｚｒ Ｔｉ ）Ｏ配料制