(SCR)、快速晶闸管(FST).ppt

第1章、电力电子器件 1.1 电力电子器件的基本模型 1.2 电力二极管 1.3 晶闸管 1.4 可关断晶闸管 1.5 电力晶体管 1.6 电力场效应晶体管 1.7 绝缘栅双极型晶体管 1.8 其它新型电力电子器件 1.9 电力电子器件的驱动与保护 1.1 电力电子器件的基本模型 电力半导体器件是电力电子技术及其应用系统的基础。电力电子技术的发展取决于电力电子器件的研制与应用。 定义：电力电子电路中能实现电能的变换和控制的半导体电子器件称为电力电子器件（Power Electronic Device）。 广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类，本书涉及的器件都是指半导体电力电子器件。 在对电能的变换和控制过程中，电力电子器件可以抽象成下图1.1.1所示的理想开关模型，它有三个电极，其中A和B代表开关的两个主电极，K是控制开关通断的控制极。它只工作在“通态”和“断态”两种情况，在通态时其电阻为零，断态时其电阻无穷大。 1.1 电力电子器件的基本模型 二、基本特性： 1.1.2 电力电子器件的种类 一、按器件的开关控制特性可以分为以下三类： ① 不可控器件：器件本身没有导通、关断控制功能，而需要根据电路条件决定其导通、关断状态的器件称为不可控器件。 如：电力二极管（Power Diode）； ②半控型器件：通过控制信号只能控制其导通，不能控制其关断的电力电子器件称为半控型器件。 如：晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件； ③全控型器件：通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断的器件，称为全控型器件。 如：门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor ）、 功率场效应管（Power MOSFET） 绝缘栅双极型晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor）等。 二、电力电子器件按控制信号的性质不同又可分为两种： ① 电流控制型器件： 此类器件采用电流信号来实现导通或关断控制。 如：晶闸管、门极可关断晶闸管、功率晶体管、IGCT等； ② 电压控制半导体器件： 这类器件采用电压（场控原理）控制它的通、断，输入控制端基本上不流过控制电流信号，用小功率信号就可驱动它工作。 如：代表性器件为 MOSFET和IGBT。 1.2 电力二极管 1.2.1 电力二极管及其工作原理 1.2.2 电力二极管的特性与参数 1.2.1 电力二极管及其工作原理 一、电力二极管： 1、电力二极管（Power Diode）也称为半导体整流器（Semiconductor Rectifier，简称SR），属不可控电力电子器件，是20世纪最早获得应用的电力电子器件。 2、在中、高频整流和逆变以及低压高频整流的场合发挥着积极的作用, 具有不可替代的地位。 二、PN结与电力二极管工作原理： 基本结构和工作、原理与信息电子电路中的二极管一样。 以半导体PN结为基础。 由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成。 从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种。 二、 PN结与电力二极管工作原理(续) N型半导体和P型半导体结合后构成PN结。 空间电荷:交界处电子和空穴的浓度差别，造成了各区的多子向另一区的扩散运动，在界面两侧分别留下了带正、负电荷但不能任意移动的杂质离子。这些不能移动的正、负电荷称为空间电荷。 内电场:空间电荷建立的电场,也称自建电场，其方向是阻止扩散运动的，另一方面又吸引对方区内的少子（对本区而言则为多子）向本区运动，即漂移运动。 空间电荷区:扩散运动和漂移运动最终达到动态平衡，正、负空间电荷量扩散运动和漂移运动最终达到动态平衡，正、负空间电荷量达到稳定值，形成了一个稳定的由空间电荷构成的范围，被称为空间电荷区，按所强调的角度不同也被称为耗尽层、阻挡层或势垒区。 二、 PN结与电力二极管工作原理(续) PN结的正向导通状态： 电导调制效应使得PN结在正向电流较大 时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正 向偏置的PN结表现为低阻态。 PN结的反向截止状态： PN结有单向导电性。 二极管的基本原理就在于PN结的单 向导电性这一主要特征。 PN结的反向击穿： 有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式，可能导致热击穿。 PN结的电容效应： PN结的空间电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容CJ，又称为微分电容。