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静电静电 （Electrostatic Discharge ESD） 大纲  物质的原子模型物质的原子模型  静电基本概念  静电危害  静电是怎么产生的  静电防护静电防护 物质的原子模型  原子由带正电、质量重、不易 移动的原子核移动的原子核，与核外带负电与核外带负电、 质量轻、绕原子核运动的电子 所组成所组成。。  原子核的总正电量与核外电子原子核的总正电量与核外电子 的总负电量大小相等。  物体带电是因为最外层电子的 转移（电荷分离） 静电基本概念  静电：物体表面静止的电荷。  电荷(静电荷)：当对物体施加一定能量时，使本来正负 电荷量相等而处于中性状态的物体变成其中任何电荷量相等而处于中性状态的物体变成其中任何一方方 过剩的状态，这过剩的电量就称为电荷(静电荷)  静电的实质是存在剩余电荷。  电荷是所有的有关静电现象本质方面的物理量。 导体与绝缘体  导体 ：若原子核最外围的电子，所受的束缚力很微弱， 则电子容易脱离原子核的束缚而自由地运动则电子容易脱离原子核的束缚而自由地运动 ，称为自称为自 由电子，这一类的物体容易导电，称为导体，例如铜、 铝、等。  绝缘体 ：原子核和核外的电子彼此间的吸引力强，则 电子不易脱离原子核的束缚，因此不易导电，称为绝 缘体缘体 ，，例如玻璃例如玻璃 、、毛皮毛皮等等 。。  半导体半导体 ：电荷移动能力介于导体与绝缘体之间电荷移动能力介于导体与绝缘体之间 ，如锗如锗 、 硅。在低温时为绝缘体，高温时为导体，且导电性随 温度升高或加杂质而升高。 材料的电阻值与抗静电性 5  导电材料阻值10 欧 66 1111  1010 欧欧抗静电材料阻值抗静电材料阻值 1010 欧欧  绝缘体材料阻值 1011欧 制程为什么要进行静电控制  避免Particle 吸附  减低元件被破坏减低元件被破坏  减少产品失效或者运作不稳定  减少静电放电造成损失 静电对IC造成伤害  人体平常所感应的静电电压在2KV以上，通常 是由于人体的轻微动作或与绝缘物的磨擦人体的轻微动作或与绝缘物的磨擦而引 起的。也就是说，倘若我们日常生活中所带的 静电电位与静电电位与IC接触接触，那么几乎所有的那么几乎所有的IC都将被都将被 破坏，这种危险存在于任何没有采取静电防护 措施的措施的工作环境中作环境中。静电对静电对IC的破坏不仅体现的破坏不仅体现 在电子元器件的制造工序当中，而且在IC的组 装装、远输等过程中都会对远输等过程中都会对ICC产生破坏产生破坏。 静电对IC造成伤害  隐蔽性：除非发生静电放电，人体不能直接感 知静电静电，但发生静电放电人体也发生静电放电人体也不一定能有电定能有电 击的感觉，这是因为人体感知的静电放电电压 为为2~3kv，所以静电具有隐蔽性所以静电具有隐蔽性。  潜在性 ：有些会受到静电损伤后的性能没有明 显的下降，但多次累加放电会给IC器件造成内 伤而形成隐患。因此静电对IC的损伤具有潜在 性。 静电对IC造成伤害  随机性：IC什么情况下会遭受静电破坏呢?可以这么说， 从一个IC芯片产生以后一直到它损坏以前，所有的过 程都受到静电的威胁程都受到静电的威胁，而这些静电的产生也具有随机而这些静电的产生也具有随机 性，其损坏也具有随机性。  复杂性复杂性 ：：静电放电损伤的失效分析工作静电放电损伤的失效分析工作，，因微电子因微电子ICIC 产品的精、细、微小的结构特点而费时、费事、费财， 要求较高的技术并往往需要使用高度精密仪器，即使 如此如此，有些静电损伤现象也难以与其它原因造成的损有些静电损伤现象也难以与其它原因造成的损