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基于L1范数模型的VLSI标准单元全局布局方法 第 PAGE \* Arabic \* MERGEFORMAT 7 页 注：首先感谢您的审阅！为使您的修改意见高效地为我司技术人员所理解，并尽快做出相应修改，请您在审阅修改过程中，使用以下方法： 在电子文档中用修订模式或彩色文字进行修改，以示与原稿区别，并回复邮件； 在打印或传真文稿中醒目地标出修改意见； 通过 电话：0591直接与我们联系。 感谢您对我们工作的支持！ 另：请填写以下《申请人资料表》。 申请类型 发明 发明名称 基于最小化冲突和合法化的三重印光刻布局分解方法 申 请 人 名称或姓名 福州大学 组织机构代码或身份证号码 地址 福建省福州市福州地区大学新区学园路2号 邮编 350108 第一发明人姓名 朱文兴 第一发明人身份证号码其它发明人姓名 范更华，李兴权 联系人 朱文兴 联系人电话联系人Email wxzhu@fzu.edu.cn ———————————————————— 权利要求书 1．一种基于L1范数模型的VLSI标准单元全局布局方法，其特征在于，该方法先把电路表示为超图，将采用半周长线长计算且密度约束为非光滑的VLSI标准单元全局布局问题建模为L1范数最小化问题，然后在聚类阶段采用适用于L1范数模型的修正的最优选择聚类算法对单元进行聚类，接着在析散阶段用非线性规划全局布局方法对聚类进行析散。 2．根据专利要求1所述的基于L1范数模型的VLSI标准单元全局布局方法，其特征在于，包括如下步骤： (1) 把电路表示为超图； (2) 初始化级数：level=0； (3) 初始化优先队列，使每个聚类包含2-3个标准单元； (4) 设置用来控制布局区域中bin个数的值：current； (5) level=level+1； (6) 用修正的最优选择聚类算法产生新的聚类，并生成该级的优先队列； (7) 重复步骤(5)~(6)，直到current大于优先队列中聚类数目的平方根； (8) 用无约束二次规划方法初始化当前级优先队列中聚类的位置； (9) 修改current的值； (10) 用非线性规划全局布局方法求解优先队列中聚类或单元的位置； (11) 析散该级的优先队列； (12) level=level-1； (13) 重复步骤(9)~(12)，直到level小于0。 3．根据专利要求2所述的基于L1范数模型的VLSI标准单元全局布局方法，其特征在于，所述步骤(1)的实现方式如下：把电路表示为超图模型H={V,E}，其中，V={v1,v2,…,vn}表示电路单元的集合，E={e1,e2,…,en}表示线网集合；对于VLSI标准单元布局问题，布局区域是矩形薄板，左下角坐标为(0,0)，右上角为(W,H)，对于单元vi(i=1,2,…,n)，记wi为其宽度，h为其高度， ai为其面积，(xi,yi)为其中心坐标，则采用半周长线长计算的总线长为： (1) 当一条线网e只连接两个单元时，线网e在X方向的半周长线长为： (2) 当一条线网e连接三个单元时，线网e在X方向的半周长线长为： (3) 当一条线网e连接pe (pe3)个单元时，线网e在X方向的半周长线长为： (4) 其中；根据公式（4），在一条线网e中，内部单元指的是单元所处的X方向上位置既不是最左，又不是最右，而是处在中间； 同理，求得线网e在Y方向的半周长线长； 在布局区域中，将整个布局区域分为大小相同且互不重叠的若干个小矩形区域，每个小矩形区域记为一个bin；记wb、hb分别为该些bin区域当中 bin b 的宽度和高度，则所有覆盖在 bin b 中的单元总面积Db(x,y)为： (5) 其中、分别表示bin b和单元i在X方向和Y方向的重叠长度；的计算公式为： (6) 其中dx表示单元i和bin b在X方向的距离，为非光滑函数； 的计算公式为： (7) 其中dy表示单元i和bin b在Y方向的距离；在建模中，记tdensity为密度约束目标，则模型约束为： (8) 运用罚函数的方法可得优化问题： (9)。 4．根据专利要求2所述的基于L1范数模型的VLSI标准单元全局布局方法，其特征在于，所述步骤(3)中，对于每个单元j∈H(V,E)，将与其连通度最高的单元k聚到一起，并将三元组triple(j,k,s)插入优先队列中，其中，s是聚类score值，计算公式如下： (10) 其中aj是聚类j的面积，f(aj)与面积aj成反比，用于控制聚类的面积大小，使得各个聚类的面积相差不会太大；Ej和Ek分别表示聚类j、k的出度；Djk表示聚