材料的分析和表征.ppt

材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 材料的分析与表征Materials Characterization 材料研究需要各种分析表征手段，要求我们掌握它们的原理并在实践中加以灵活运用。 * 材料 信号输入 信号输出 材料与输入信号相互作用，产生输出信号。 比较输入和输出信号，获取材料的相关信息。 1、输入什么信号；2、获取什么信号；3、输入信号与材料的相互作用，以及输出信号的产生过程。 信号输入 信号输出 光子、电子、 离子束、中子 光子、电子、 离子束、中子 材料 了解掌握和灵活运用各种表征手段。 例一、热氧化法制备WO2.9纳米棒 棒的集体形貌（SEM）、晶体结构（XRD）、棒的取向（XRD－织构）、 单根棒的结构、尺寸、生长方向（TEM、SAD、HRTEM） 棒的化学成分（TEM－EDS） 棒的键合状态，光学特性（Raman，吸收光谱、发射光谱） 例一、热氧化法制备WO2.9纳米棒 利用SEM知道了棒的集体形貌、大体尺寸、取向特性等。 例一、热氧化法制备WO2.9纳米棒 利用X－光衍射和织构分析获取了纳米棒的晶体结构以及取向分布等信息。注：在得到晶体结构信息时利用的是粉末衍射，而非织构衍射。 例一、热氧化法制备WO2.9纳米棒 利用TEM、SAD、HRTEM、EDS等分析可以获取单根纳米棒的结构、直径、化学成分、生长方向等信息。注：EDS谱没有给出。 例一、热氧化法制备WO2.9纳米棒 Raman 光谱和光致发光谱给出了化学键合和光学性能信息。 例一、热氧化法制备WO2.9纳米棒 X－光衍射给出了纳米棒的结构与反应参数之间的相关性。 例一、热氧化法制备WO2.9纳米棒 SEM分析给出了表面形貌与基片表面特性的关系。 例二、氧化法制备MoO3纳米结构 利用Raman、XRD光谱判断纳米结构的结构； 利用SEM、TEM、SAD、EDS、HRTEM判断材料的结构、尺寸、成分等 利用光致发光谱测量材料的发光性能； 利用光吸收谱测定材料的光学带隙等。 例二、氧化法制备MoO3纳米结构 如何利用Raman和XRD判断各种纳米结构的晶体结构呢？ 例二、氧化法制备MoO3纳米结构 例三、PLD法制备VO2外延薄膜 XRD研究结构、织构和与基片间的取向关系； RBS和C－RBS研究薄膜的晶体性以及成分、厚度等 例三、PLD法制备VO2外延薄膜 XRD织构测量和比较表明VO2薄膜与基片间有着良好的取向关系。 例三、PLD法制备VO2外延薄膜 RBS和C－RBS Analysis表明VO2薄膜是结构良好的单晶体。 例三、PLD法制备VO2外延薄膜 RBS和C－RBS Analysis表明VO2薄膜是结构良好的单晶体。 还可以研究搀杂以及扩散等行为。 例四、离子注入合成SiC外延埋层 埋层的结构和取向：XRD、Raman、FTIR、XRD－织构分析 埋层与基片的取向关系：XRD－织构分析 埋层的化学成分及其沿着深度的分布：RBS、AES等 埋层的电学性能、光学性能：T－R曲线、光吸收谱等 埋层的厚度：RBS、离子束透射分析。 例四、离子注入合成SiC外延埋层 需要解决的分析和表征问题： 1、埋层是否是立方SiC？ 2、如果是，则埋层与基片的取向关系如何？ 3、埋层的成分分布如何？ 4、埋层的一些性能如何？ 利用多能量离子注入的方法，可以将SiC埋层的外延生长温度从850 度降低到400度左右；还可以将埋层的成分分布大大优化。 Si (111) 或者Si(001) Carbon ions E1 E2 E3 例四、离子注入合成SiC外延埋层 由X－光衍射分析和FT－IR分析知道：形成的埋层是立方SiC。 X－光衍射同时暗示：SiC埋层具有良好的（111）织构。由于SiC和Si都是立方结构。因此，SiC埋层和Si基片可能有取向关系。 例四、离子注入合成SiC外延埋层 织构分析说明，SiC埋层和Si基片有很强的取向关系： SiC(111)//Si(111) [110]SiC//[110]Si 例四、离子注入合成SiC外延埋层 对比两个织构图，发现：SiC(311) 比Si（311）多了3个点（标为A）。 将衍射位置分别转到A点（异常位置）和B点（正常位置），然后作扫描，得到如下衍射峰。经过分析，知道分别为Si(400)和SiC(311)的衍射。为什么？ 例四、离子注入合成SiC外