砷化镓等-红软基地.PPT

半导体材料 物理与信息工程学院 微电子系 第一章 半导体材料综述 第一章：半导体材料综述 半导体已成为家喻户晓的名词，收音机是半导体的、电视机是半导体的、计算器及计算机也是半导体的。那么哪些是半导体材料？它有哪些特征？ 1.2半导体材料的类别 第二章：基本原理 第二章：基本原理 第三章：半导体材料的性质与性能 第二节 基本原理 第三章：半导体材料的性质与性能 第4章　对半导体材料的技术要求 半导体材料 第5章：半导体材料的制备 第六章：一些主要的半导体材料 第六章：一些主要的半导体材料 （4）电子晶体声子玻璃概念 是指研究或设计一种热电材料使之同时具有晶体材料所具有的电导率同时又具有玻璃一样的热导率。 其目的是提高电导率，降低热导率。 其直接结果是研究具有晶格空位的—层状结构和各类大空位晶体结构的材料体系 表6.9 GaAs的半导体性质 13.1 介电常数 1×108 W.cm 本征电阻率 1.79×106 cm-3 本征载流子浓度 4.42×1022 原子/cm3 原子密度 8500/400 cm2/V.s 迁移率（室温）电子/空穴 1.424 eV 禁带宽度（25℃） 数值 单位 性质 表6.8 砷化镓的力学热学性质 0.35 J/g.K 比热 6.86 K-1 线性膨胀系数 46(300K) W/mK 热导率（固/液） 0.095 MPa 熔化时解离压 4.5/750 摩氏/努氏 硬度 5.3(25℃)/5.7(熔点） g/cm3 密度（固/液） （011）（111） 解理面 1238 ℃ 熔点 数值 单位 性质 砷化镓的禁带宽度比Si、Ge大，电子迁移率比Si、Ge高，而且具有直接禁带。 从1962年用GaAs制成激光二极管、1963年发现耿氏效应（Gunn effect）以来，GaAs的材料与器件得到了很大的发展。 于1972年用分子束外延法制出了GaAs/GaAlAs的超晶格材料，使GaAs的应用又上了一个新的台阶。 已批量生产的砷化镓材料有GaAs掺杂单晶、半绝缘单晶（SI-GaAs），汽相外延片、液相外延片等，是制作微波器件、超高速集成电路、光电子器件的重要材料。 GaAs材料的制备比硅、锗困难。其原因： 一是由于熔点下砷的分解压接近一个大气压； 二是金属在高温下性质活泼，易与石英等坩埚材料起化学反应而造成材料的污染并使成晶困难； 三是化学配比难于控制。 所有的GaAs单晶都是用熔体生长法制成的。 生产的方法主要为水平定向结晶法和液封直拉法。这两种方法都可以先合成多晶再进行单晶生长，也可在不经更换容器的条件下，先合成再拉晶。 水平法（见5.3.6节）： 是在抽真空的石英管内，一端放置盛高纯Ga的石英舟，另一端放高纯砷。Ga端处于高温区，As端处于低温区。升温后，As扩散到Ga中形成GaAs。当合成反应达到平衡后，再以定向结晶的方式进行生长，生长速率为3~12mm/h。在整个晶体生长过程中，As端温度保持在610~620oC，以保证As的平衡压力。 此法的优点是设备简单，生长系统中温度梯度较小，可制备不同掺杂的位错密度较低的单晶。 缺点是截面呈“D”型，不能制备非掺杂半绝缘GaAs。 液封直拉法（见5.3.4节）： 一般是在高压单晶炉内进行的。所用的坩埚材质为石英或热解氮化硼(PBN)，后者可防止Si的污染。可在炉内进行直接合成（原位合成），合成所需压力5-7MPa ，温度820oC左右。拉晶是在1~2MPa压力下进行的。 此法的优点是单晶截面为圆形，可生长非掺杂的半绝缘GaAs； 缺点是单晶的位错密度较高（一般在104cm-2范围），设备复杂。 其他尚在研究开发的方法有垂直梯度凝固法(VGF)、和气氛控制直拉法（VCZ）等。 砷化镓的外延片可用： 化学汽相外延、金属有机汽相外延、液相外延、分子束外延等方法制成。工业生产的方法为化学汽相外延与液相外延。 GaAs主要应用于： ①微波器件，包括各种微波二极管、场效应晶体管及微波集成电路； ②光电子器件，包括发光二极管、激光管、光探测器、太阳电池、光电集成电路（OEIC）等； ③超高速集成电路等。 磷化镓系III-A族镓与V-A族磷所形成的化合物，其产量与GaAs相近。 呈橙红色透明晶体。分子式为GaP，分子量为100.67。结晶于闪锌矿结构，晶格常数a = 0.545nm。在空气中稳定，在750oC以前不发生氧化。真空下在1100oC开始分解。 它的主要性质见表6.10。 磷化镓的产品有掺杂单晶及外延片。 表6.10 磷化镓的主要物理性质 5.248 J/g.K 比热 （011） 解理面 2.25 eV 禁带宽度（25℃） 300/150 cm2/V.s 迁移率（室温）电子/空穴 11.1 介电常数 5.3×10-6 K