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自动化技术与应用》2012年第31卷第5期 行 业 应 用 与 交 流
ndustrialApplicationsandCommunications
功率MOS管并联方法的研究
陈毓辉
(桂林星辰科技有限公司,广西 桂林 541004)
摘 要:本文介绍了MOS管并联的一种新方法,并介绍了该并联方法的工作原理,给出了实际应用电路。结合实验所得结果,分析该
并联方法的优缺点,并对在实际应用中的注意事项进行了较为详尽的阐述。
关键词:均流 ;导通电阻;门开启电压 ;均衡率 ;续流;桥臂;寄生振荡
中图分类号:TP29 文献标识码:B 文章编号:1003—7241(2012)05—0072—05
TheStudyofPowerMOSFETS’ParallelMethod
CHEN Yh.hui
(Guilinstars-techCO.,Ltd,Guilin541004China)
Abstract:ThisarticleintroducesanewparallelmethodofthePowerMOSFETS,andalsointroducestheworking-principleofthe
parallelmethod,givestheactualapplicationcircuit.Basedontheexperimentalresults,analysestheadvantagesand
disadvantagesoftheparallelmethod,andalsodescribesthemattersneedattentionintheprocessofactualapplication
indetail.
Keywords:flow equalize;conductionresistance;gatethresholdvoltage;equilibrium rate;free—wheeling;bridgelegs;parasitic
OSCi11atjons
1 引言 路的失败。为此,本文介绍一种新的MOS管并联方法 ,
随着电子 电力技术的发展 ,功率MOSFET以其高频 可有效克服以上所述的并联方法的缺点,提高并联电路
性能好、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、驱动 的工作可靠性。
电路简单等,得到了越来越广泛的应用。在低压大功率
的许多应用场合,如 电动三轮车、旅游观光 电动汽车、 2 MOS功率管并联需要考虑的要点
小型电动叉车等,无一例外的是采用MOS管并联的方 为了使并联 电路 中每个MOS管尽可能的均流,在
法,但这些传统的并联方法大多数是把同一规格的MOS 设计并联电路时需要考虑如下要素 :
管并联在一起使用 ,并联前不会专门进行均流、发热温 i.饱和压降VDs或导通RD u:对所有并联的MOS
升测试后再选择并联,理由有 :a、费时、费力 ,b、即使 管而言,导通时其管压降是相 同的,
进行筛选 ,由于实验状况不能完全模拟实际运行的工作 其结果必然是饱和电压小的MOS管先流过较大的
状态,即使在实验过程得到的均流效果很好 ,实际应用 电流,随着结温的升高,管压降逐渐增大,则流过管压降
时由于条件 的改变等原因,均流效果并不定能达到原先 大的MOS管的电流又会逐渐增大,从而减轻管压降小
预定的结果,有时甚至差别非常大。因此,在实际MOS 的MOS管的工作压力。因此,从原理上讲,由于N沟道
管并联应用 中,如果均流不均匀、损耗发热严重失衡, 功率型MOS管的饱和压降VDs或导通电阻RDSon具
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