微电子器件B-4-3-2015MOSFET-的直流电流电压方程.pptVIP

5.3 MOSFET 的直流电流电压方程 本节将以 N 沟道 MOSFET 为例，推导 MOSFET 的 ID ~ VD 方程。 ID VD 推导时采用如下假设： ① 沟道电流只由漂移电流构成，忽略扩散电流以及产生复合电流； ② 采用缓变沟道近似，即： 这表示沟道厚度沿 y 方向的变化很小，沟道电子电荷全部由 感应出来而与 无关； 附：泊松方程 VD 5.3.1 非饱和区直流电流电压方程 ③ 沟道内的载流子（电子）迁移率为常数；氧化层是绝缘体，栅极漏电流为零； ④ 采用强反型近似，即认为当表面少子浓度达到体内平衡多子浓度（也即 ?S = ?S,inv ）时沟道开始导电； ⑤ QOX 为常数，与能带的弯曲程度无关。 当在漏极上加 VD VS 后，产生漂移电流， 式中， 代表沟道内的电子电荷面密度。 1、漏极电流的一般表达式 （5-36） （5-37） （5-36） 当 VG VT 后，沟道中产生的大量电子对来自栅电极的纵向电场起到屏蔽作用，所以能带的弯曲程度几乎不再随 VG 增大 ，表面势 ?S 也几乎维持 ?S,inv 不变。于是， 2、沟道电子电荷面密度 Qn QA QM Qn 当外加 VD ( VS ) 后，沟道中将产生电势 V ( y ) ，V (y) 随 y 而增加，从源极处的 V (0) = VS 增加到漏极处的 V (L) = VD 。这样 ?S,inv 、xd 与 QA 都成为 y 的函数，分别为： 将上面的 ?S,inv 和 QA 代入沟道电子电荷面密度 Qn 后，可知 Qn 也成为 y 的函数，即： 将 Qn 代入式（5-37） 下面对上式进行简化。 3、漏极电流的精确表达式 并经积分后得： 将 Qn 中的 在 V = 0 处用泰勒级数展开， 当只取一项时， 当 VS = 0 ，VB = 0 时，可将 VD 写作 VDS ，将 VG 写作 VGS ，则 Qn 成为： 4、漏极电流的近似表达式 将此 Qn 代入式（5-37）的 ID 中，并经积分后得： （5-50） 再将 写作 ，称为 MOSFET 的 增益因子，则 式（5-51）表明，ID 与 VDS 成 抛物线关系，即： 式（5-51）只在抛物线的左半段有物理意义。 IDsat ID VDS VDsat 0 （5-51） 此时所对应的漏极电流称为 饱和漏极电流 IDsat ， 这一点正好是抛物线的顶点。所以 VDsat 也可由令 而解出。 由 Qn 的表达式可知，在 y = L 的漏极处， 可见 | Qn(L) | 是随 VDS 增大而减小的。当 VDS 增大到被称为 饱和漏源电压 的 VDsat 时，Qn ( L ) = 0 ，沟道被夹断。显然， （5-52） （5-53） 当 VDS VD sat 后，简单的处理方法是从抛物线顶点以水平方向朝右延伸出去。 以不同的 VGS 作为参变量，可得到一组 ID ~ VDS 曲线，这就是 MOSFET 的输出特性曲线。 对于 P 沟道 MOSFET，可得类似的结果， 式中， 以上公式虽然是近似的，但因计算简单，在许多场合得到了广泛的应用。 课堂习题1： 考虑一理想N沟MOSFET， L为1.25 ， 为650cm2/V.s， Cox=6.9 ×10-8F/cm, VT=0.65 V, 假设在VGS=5V时IDsat=4 mA ，试求沟道宽度Z 课堂习题2： 考虑一N沟MOSFET， L为2 ，Z=15 ，Cox=6.9 ×10-8F/cm, VT=0.65 V, 假设工作在非饱和区，VDS=0.1 V，在VGS=1.5V，ID=35微安，而在VGS=5V时IDsat=4 毫安 ，试求反型层载流子迁移率