半导体晶圆化学镍_金UBM工艺与设备.pdfVIP

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2019-03-12 发布于辽宁
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半导体晶圆化学镍_金UBM工艺与设备.pdf

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EP E 电子工业专用设备 Equipment for Electronic Products Manufacturing ·封装工艺与设备· 半导体晶圆化学镍/ 金UBM 工艺与设备刘勇上海纪元富晶电子有限公司，上海， ( 201203) 摘要：介绍了半导体晶圆化学镍金UBM 的工艺流程及其自动控制生产线，包括设备材料的要求及设备内部结构。在的半导体晶圆上成功制作化学镍金和化学 200 mm 5 μm / UBM 18 μm 镍金凸点。在光学显微镜、表面轮廓仪和下检测了化学镍金镀层的表面形貌。通过 SEM / EDX 分析化学镍金中的镍磷含量。自动光学检测了晶圆上化学镍金凸点的高度 / UBM 3D 200 mm / 和共面性，讨论了镍金凸点的剪切强度和失效模式，分析了生产中化学镍金的两种常 / / UBM 见缺陷及成因。关键词：半导体晶圆；化学镍金；凸点下金属(UBM) ；自动控制生产线中图分类号： TQ153.1 文献标识码： A 文章编号： 1004-4507(2009)12-0007-07 Electroless Ni/Au UBM Process and Equipment For Semiconductor Wafer LIU Yong (FlipChip Millennium(Shanghai) Co.,Ltd, Shanghai 201203, China) Abstract: The electroless Ni/Au UBM process and an automatic line for semiconductor wafer are in- troduced, including material requirements and inner layout of the equipment. The electroless Ni/Au UBM and bump are successfully fabricated on 200 mm wafer. The morphology of Ni/Au UBM is in- spected and analyzed through microscope, surface profiler and SEM. The contents of nickel and phos- phorus are detected through EDX. The height and coplanarity of Ni/Au bumps on 200 mm wafer are inspected through 3D AOI, the Ni/Au