铟布置於矽111表面於4×1与8×2相的原子与电子能态结构.PDF

銦佈置於矽(111)表面於 (4×1)與(8×2)相的原子與電子能態結構 文/蔡秀芬 原子佈置於半導體表面可因佈置濃度與佈置的溫度產生各種不同的表面原子結構。其電子結構特性亦隨表 面原子結構分佈而產生極大的不同，其可能由金屬性改變為半金屬性，甚至於變為絕緣體。我們可以利用第一 原理進行理論模擬計算分析吸附於半導體表面的原子結構分佈，並進一步分析其電子結構特性。並可以進一步 分析推論系統隨溫度變化所產生相轉變發生的機制。本文以銦佈置於矽(111) 表面隨溫度變化而產生(4×1)與(8×2) 相的例子，介紹第一原理在該領域的運用。 當單層濃度的銦佈置吸附在矽(111)表面上 驗結果對(8×2) 相電子結構特性的不同詮釋。 時，其表面原子結構形成(4×1)的金屬相。這是早 Sakamoto(9)等人提出可能的解釋為該系統 CDW 根本 在 1965 年就知道的實驗結果(1) ，但是其詳細的表 面原子結構分析是最近幾年才由表面 x 射線散射 (SXRD) 得知(2) ；其形成沿[110] 方向上與矽吸附鏈 平行的準一維銦鋸齒狀鏈排列的表面結構。然而對 於其表面電子結構的分析卻意見分歧，由掃描穿透 式電子顯微鏡(STM)與掃描穿透光譜(STS)證明 (4×1)相具半金屬性(3) ；然而由不同實驗室的角度分 析光電子能譜(ARPES) (4-5) 及反光電子發射能譜 (IPES)(6)分析卻認為(4×1)相為金屬性。 另一方面，結合 ARPES 與 STM 的實驗證實 In/Si(111)的系統由室溫下降至100K 時，會因一維 電荷密度波(CDW)誘發使其表面結構由(4×1)相轉 變為(4×’2’)或(8×’2’)相(5) ；其中’×2’ 代表跨一維鏈 方向的雙週期長程有序性是不完全的(5,7) 。而且由 角度分析光電子能譜可隱約地看出低溫的8×’2’結 構的表面電子能態在費米面上有一準能隙存在。且 圖一 最佳化的 (4×1)-In/Si(111)原子結構分布圖。 (a) 在能隙是對稱的假設下，估計能隙的大小為 為上視圖，(b)為側視圖。上視圖中上層吸附的銦原 150±40 及80±10meV(8) 。然而，由高解析度電子能 子與矽原子分別以大圓及中圓表示。黑色實心圓代表 量損失能譜(HREELS)却證明在 90K 下的(8×2)相 內層的矽原子。在上視圖中同時呈現橫切最上層 In(7) (9) 的 (111)面之價電子電荷密度分布情形。 為非純半導體特性 。面對ARPES 與 HREELS 實 物理雙月刊（廿七卷四期）2005 年8 月 560 不存在或是(8×’2’)相是因表面自由電荷密度減少 果是建立在電子密度泛函理論(density functional 而使得一維CDW 不穩定而呈現部分金屬特性。 theory, DFT) 及 區 域 密 度 近 似 (local-density (10) approximation, LDA)下所得到的。我們利用重覆厚板 另一方面，Kumpf 等人利用SXRD 觀察提出 模型進行理論模擬計算。每層厚板包含十層矽原子 了20K 的低溫In/Si(111)表面原子結構確實為(8×2) 層，且於底層加氫原子以終結底層矽原子的懸空鍵， 結構分佈，且其在銦的鏈狀結構中形成銦的三原子 最上層加上吸附的矽原子與銦原子。兩層厚板間的距 聚合體。他們同時發現銦鏈間有很強的相關性，且 離大約間