模拟电子技术基础习题与解答3.doc

第三章 场效应管放大电路 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ） （2）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 二、选择正确答案填入空内。 （1）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （2）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。 A.增大 B.不变 C.减小 改正图P2.20所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共源接法。 图P2.20 解：（a）源极加电阻RS。 （b）漏极加电阻RD。 （c）输入端加耦合电容。 （d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD 改正电路如解图P2.20所示。 解图P2.20 已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。 （1）利用图解法求解Q点；（2）利用等效电路法求解、Ri和Ro 。 图P2.21 解：（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即