第三章双极型晶体管精品文档.pptVIP

微电子器件与IC设计;第 3 章 双极型晶体管;3.1 晶体管的基本结构及杂质分布;3.1 晶体管的基本结构及杂质分布;3.1 晶体管的基本结构及杂质分布; NPN晶体管的几种组态;;各区少子分布;NPN晶体管的电流转换;3.2.2、发射效率及基区输运系数;2、基区输运系数β* 3、集电区倍增因子 ; 1.共基极直流电流放大系数 2.共射极直流电流放大系数 ; 晶体管放大三要素：;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3.1 均匀基区晶体管的电流增益 均匀基区晶体管直流电流增益推导思路 对发射区、基区、集电区分别建立连续性方程； 利用波尔兹曼分布关系建立边界条件； 解扩散方程得到各区少子分布函数； 利用少子分布函数求出各区电流密度分布函数； 由电流密度分布函数得到jne , jnc , jpe ； 求出发射效率和输运系数； 得到共基极和共射极电流放大系数。;以共基极连接为例，采用一维理想模型 发射结正向偏置，集电结反向偏置;;一、少数载流子分布 （1）基区“少子”电子密度分布;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;; 4、共射极电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;二、发射区自建电场;3.3 晶体管的直流电流增益;根据(3.3.46)，利用;3.3 晶体管的直流电流增益;D、引入平均杂质浓度的概念求出 jne 和 jpe ，得到发射效率 E、得到共基极和共射极 电流放大系数;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3 晶体管的直流电流增益;3.3.4影响电流放大系数的因素;2. 发射区重掺杂效应对电流放大系数的影响;2）俄歇复合（带间直接复合）;表面复合对基区输运系数的影响可表示为; 　　共射极输出特性曲线上 VBC ＝0 点的切线与 VCE 轴负方向交于一点，该点电压称为Early电压。VEA越大，说明基区宽变效应越小。;3.4 晶体管的特性参数;3.4.2 晶体管的反向电流;二、反向电流的来源 实际的晶体管反向电流应包括反向扩散电流，势垒产生电流和表面漏电流。 对Ge管：主要是反向扩散电流 对Si管：主要是势垒产生电流，表面电流视工艺而定 ;3.4.3 晶体管的击穿电压; 3.4.4 基极电阻;?截止频率 f?：共基极电流放大系数减小到低频值的　　　所对应的频率值。;3.5 双极晶体管直流伏安特性 3.5.1 均匀基区晶体管直流伏安特性;于是得到发射极电流;集电极电流;3.5.3 晶体管直流特性曲线;3.5.3 晶体管直流特性曲线;一、晶体管的工作状态 晶体管的工作状态完全由直流偏置情况决定，如图可分为三个区。当晶体管处于倒向运用状态时，也同样存在以上三个区，但截止区和饱和区是一样的。只注意反向放大区即可。;各工作区中结的偏置情况和电流关系;截止区（当VI为负脉冲或零时） 　　　IB＝IEBO＋ICBO 此时流过RL的电流很小，所以Vo≈VCC;饱和区（当VI为VBB的正脉冲信号时） 　　　　　　　ViVBB+VBE 进入饱和的原因： 1、从外电路来看，是由于RL限制； 2、从晶体管内部来看，多余的IBX注入基区，导致发射结和集电结电压都同步增加，导致基区两端少子浓度同步增加，但浓度梯度不变，所以基区少子扩散电流不变，导致ICS基本不变。;正向压降和饱和压降;小结：饱和态晶体管的特点：; 在放大电路中，晶体管作为放大元件；但在逻辑电路中，晶体管是作为开关元件的。 ;三、晶体管的开关过程;1、延迟过程;ViVBB+VBE，满足发射结导通的条件，IB出现，给CTC和CTE充电，反偏结电压降低； CTE继续充电到正偏，IB开始给CDE充电，IC由0→0.1ICS。由于CTC上反偏电压较大，所以仍维持反偏。;2、上升过程;CTC继续充电，反偏集电结电压降低到接近0V； CTE继续充电到0.7V，CDE充电使基区少子积累，浓度梯度增大。 0.9IC之后，集电结正偏， CTC充电到0.5V，向B区/C区注入少子，导致基区和集电区出现超量电荷，进入饱和状态。 CTE继续充电，VBE略有增加。;3、存储过程;VI去掉，发射结加上反偏电压VBB，IB抽取储存电荷； QBS和QCS减小，相当于CDE和CDC放电，但基区少子浓度梯度不变，ICS不变。 0.9IC之后，晶体管退出饱和，进入放大区。此时发射结正偏，集电结微负偏。;4、下降过程;QBS和Q