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学习参考
第一部分 考试试题
第0章 绪论
1.什么叫半导体集成电路?
2.按照半导体集成电路的集成度来分,分为哪些类型,请同时写出它们对应的英文缩写?
3.按照器件类型分,半导体集成电路分为哪几类?
4.按电路功能或信号类型分,半导体集成电路分为哪几类?
5.什么是特征尺寸?它对集成电路工艺有何影响?
6.名词解释:集成度、wafer size、die size、摩尔定律?
第1章 集成电路的基本制造工艺
1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用?
2.在制作晶体管的时候,衬底材料电阻率的选取对器件有何影响?。
3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤?
4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤?
5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足?
6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点?并请提出改进方法。
7. 请画出NPN晶体管的版图,并且标注各层掺杂区域类型。
8.请画出CMOS反相器的版图,并标注各层掺杂类型和输入输出端子。
第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应
1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略?。
什么是集成双极晶体管的无源寄生效应?
3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应?
4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应,其对晶体管有什么影响?
5. 消除“Latch-up”效应的方法?
6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应?
7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应?
第3章 集成电路中的无源元件
1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些?
2.集成电路中常用的电容有哪些。
3. 为什么基区薄层电阻需要修正。
4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。
5. 运用基区扩散电阻,设计一个方块电阻200欧,阻值为1K的电阻,已知耗散功率为
20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。
第4章TTL电路
1.名词解释
电压传输特性 开门/关门电平 逻辑摆幅 过渡区宽度 输入短路电流 输入漏电流
静态功耗 瞬态延迟时间 瞬态存储时间 瞬态上升时间 瞬态下降时间
瞬时导通时间
2. 分析四管标准TTL与非门(稳态时)各管的工作状态?
3. 在四管标准与非门中,那个管子会对瞬态特性影响最大,并分析原因以及带来那些困难。
4. 两管与非门有哪些缺点,四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在那些地方做了改善,并分析改善部分是如何工作的。四管和五管与非门对静态和动态有那些方面的改进。
5. 相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善,分析改进部分是如何工作的。
6. 画出四管和六管单元与非门传输特性曲线。并说明为什么有源泄放回路改善了传输特性的矩形性。
7. 四管与非门中,如果高电平过低,低电平过高,分析其原因,如与改善方法,请说出你的想法。
8. 为什么TTL与非门不能直接并联?
9. OC门在结构上作了什么改进,它为什么不会出现TTL与非门并联的问题。
第5章MOS反相器
1. 请给出NMOS晶体管的阈值电压公式,并解释各项的物理含义及其对阈值大小的影响(即各项在不同情况下是提高阈值还是降低阈值)。
2. 什么是器件的亚阈值特性,对器件有什么影响?
3. MOS晶体管的短沟道效应是指什么,其对晶体管有什么影响?
4. 请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应,并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
5. 什么是沟道长度调制效应,对器件有什么影响?
6. 为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分(不考虑沟道调制效应)?
7.请画出晶体管的特性曲线,指出饱和区和非饱和区的工作条件及各自的电流方程(忽略沟道长度调制效应和短沟道效应)。
8.给出E/R反相器的电路结构,分析其工作原理及传输特性,并计算VTC曲线上的临界电压值。
9.考虑下面的反相器设计问题:给定VDD=5V,KN`=30uA/V2 ,VT0=1V
设计一个VOL=0.2V的电阻负载反相器电路,并确定满足VOL条件时的晶体管的宽长比(W/L)和负载电阻RL的阻值。
10.考虑一个电阻负载反相器电路:VDD=5V,KN`=20uA/V2 ,VT0=0.8V,RL=200KΩ,W/L=2。计算VTC曲线上的临界电压值(VOL、VOH、VIL、VIH)及电路的噪声容限,并评价该直流反相器的设计质量。
11.设计一个VOL=0.6V的电阻负载反相器,增强型驱动晶体管VT0=1V, VDD=5V
1)求VIL和VIH
2)求噪声容限VNML和VNMH
12.采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点?
13.增强型负载
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