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第7章 电子元器件基础;7.1 常用电子元件;7.1.1 电阻器;1.电阻器的种类;2.电阻器的主要参数;3.电阻器型号的命名办法;4.电阻器的阻值及误差的表示方法;④色环法:用不同颜色的色环来表示电阻器的阻值及误差等级。普通电阻一般由4环表示,精密电阻用5环描述。
色环含义:棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、黑-0、金-±5%、银-±10%、无色-±20%。
当电阻为四环时,最后一环必为金色或银色,前两位为有效数字,第三位为乘方数,第四位为偏差。当电阻为五环时,最后一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字,第四位为乘方数,第五位为偏差。;7.1.2 电容器;1.电容器的种类;2.电容器的主要参数;(4) 绝缘电阻
用来表明漏电大小的量。绝缘电阻越大越好。
(5) 损耗
电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。
(6) 频率特性
电容器的电参数随频率变化而变化的性质。在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能。所有这些,使得电容器的使用频率受到限制。;3.电容器的型号命名;4.电容器容量的标注方法;7.1.3 电感器和变压器;;1.电感器的分类;2.电感器的主要参数;3.电感器的标识;7.1.4 开关和接插件;1)开关的分类;2)开关的主要参数;(4) 动作力矩
使开关完成转换所需的最小力矩。一般的要求是500~1500 gcm,?较轻的要求在50~400 gcm。
(5) 寿命
开关在正常工作条件下能有效工作的最低次数。一般要求在5000~35000次,通常要求是10000次,?较高的要求是5万到50万次。
(6) 其他
包括冲击力、震动、碰撞、以及恶劣气候的要求,要求较高的甚至要有抗盐雾,霉菌以及硫化等。对开关的机械强度,以及可焊性,耐焊接热等方面也有明确的规定。;3)开关的结构特点;2. 接插件;7.2 半导体基础知识; 导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,我们称为半导体。半导体材料在环境光和热变化时??其导电能力会显著变化。在纯净半导体中,加入微量的杂质,其导电能力会显著增强。
在电子器件中,常用的半导体材料有:元素半导体,如硅(Si)、锗(Ge)等;化合物半导体,如砷化镓(GaAs)等;以及掺杂或制成其它化合物半导体材料,如硼(B)、磷(P)、锢(In)和锑(Sb)等。其中硅是最常用的半导体材料。;化学成分纯净的半导体称为本征半导体。
(1) 本征半导体的共价键结构
晶体中原子以共价键结合,共价键中的两个电子,称为价电子。共价键中的价电子为这些原子所共有,并为它们所束缚,在空间形成排列有序的晶体。;(2) 电子空穴对
当半导体的温度处于绝对零度时,其中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时,价电子能量增高,有的价电子可以挣脱原子核的束缚,成为自由电子参与导电。这一现象称为本征激发(也称热激发)。
自由电子产生后,在其原来的共价键中就出现了一个空位,原子的电中性被破坏,呈现出正电性,其正电量与自由电子的负电量相等,通常将这个呈现正电性的空位称为空穴。可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的,称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去,称为复合。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。;2.杂质半导体;7.2.2 PN结;2.PN结的单向导电性;7.3 晶体二极管;7.3.1 二极管的结构与特性;2.半导体二极管的特性;(2) 反向特性
当二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,几乎为零。当反向电压逐渐增大到某一数值时,反向电流突然急剧增大,这种现象称为反向击穿。这时的电压称为反向击穿电压,不同材料与结构的二极管,反向击穿电压的大小也不相同。对某一特定型号的二极管而言,反向击穿电压的数值几乎是恒定的,并不会随着反向电流的变化而变化。利用二极管的这一特性,可以完成稳压的功能。;7.3.2 二极管的分类与用途;(3) 稳压二极管
因半导体掺杂的不同,稳压二极管除具有普通二极管的单向导电性外,当其反向电压增大到一定数值时,电流会像雪崩一样地增加,使二极管进入反向击穿区。此后,反向电流在很大范围内变化时,而二极管两端的电压值基本保持不变。稳压管正是利用这一特点进行稳压的,此时的稳定电压称为齐纳电压,因此稳压二极管又名齐纳二极管。
(4) 发光二极管
发光二极管(简称LED)也是一种二极管,其主要结构也是PN结,但它使用的半导体材料主要是砷化镓等。发光二极管在正向导通时会发光,电流增大,发光亮度增强。 ;(5) 变容二
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