1-12 半导体PN结.pptVIP

第一章 半导体器件 本章是本课程的基础，应着重掌握以下要点： （1）半导体的导电特性。 （2）PN结的形成及其单向导电性 （3）三极管的结构、类型及其电流放大原理 （4）三极管的特性及其主要参数 本章内容： § 1.1 半导体基础知识 § 1.2 PN结 § 1.3 半导体二极管 § 1.4 半导体三极管 §1.1 半导体的基本知识 §1.2 PN结 ID __流过PN结的电流； IS __反向饱和电流； u －为结电压 UT－温度的电压当量， k －为波耳次曼常数（1.381?10-3J/k） T －为绝对工作温度 q －为电子电荷量1.6?10-19C P 区 N 区 内电场 外电场 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 IF 限流电阻 扩散运动加强形成正向电流 IF 。 IF = I多子 ? I少子 ? I多子 （1） 外加正向电压(正向偏置) — forward bias PN结外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。 (2) 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias P 区 N 区 内电场